Flinkenberg etusivulle  
steel - teräselectronics - elektroniikan komponentitbatteries - akut ja paristotchemicals - kemikaalittools - koneet, työkalut ja paineilmanostimet
 

Komponentit

 

Flinkenberg green - uusiutuvan energian ratkaisut

 

Pyydä lisätietoja

ir logo

Tuotteet

Esitteet ja luettelot

IR parhaat päältä tuotevalikoimakatsausIR parhaat päältä tuotevalikoima-katsaus

IR Product GuideIR Product Guide
             

IR Industrial ApplicationsIR Industrial Applications

IR DC-DC Buck Converter ApplicationsIR DC-DC Buck Converter Applications

IR Uutiset

(11.6.13) IR's New 1200V IGBTs Deliver Higher Power Density and Increased Efficiency for Motor Drive and UPS Applications

(6.6.13) IR Introduces IRS44273L Compact Low-Side Gate Drive IC in SOT-23-5L Package

(27.5.13) IR Expands PowIRaudio™ Family with the Introduction of 60V IR4321M and IR4322M Integrated Power Modules

(11.3.13) IR Enhances Online IGBT Product Selector and Performance Evaluator Tool to Further Simplify Device Selection and Optimization

(25.2.13) IR's AUIR3200S Offers Enhanced Protection and Diagnostics for Automotive Relay Replacements and Battery Switches

(11.2.13) IR Expands Portfolio of Rugged, Reliable 600V Trench Ultrafast IGBTs

(21.1.13) IR's 300V Power MOSFETs Offer Benchmark Rds(on) to Improve System Efficiency in Industrial Applications

(14.1.13) IR Expands PowIRaudio™ Family of Integrated Power

(18.12.12) IR's Three-Phase IR3230SPbF Gate Drive IC Simplifies eBike Design

(30.11.12) IR Introduces StrongIRFET™ Power MOSFET Family for Industrial Applications Requiring Ultra-Low On-State Resistance

(14.11.12) IR's Gen8 1200V IGBT Technology Platform Delivers Benchmark Efficiency and Ruggedness for Industrial Applications

(17.10.12) IR Expands Family of IGBTs with 600V Trench Ultrafast IRGR4045DPBF and IRGS4045DPBF for Appliance Motor Drives

(13.8.12) IR's Automotive-Qualified 600V Trench IGBTs in D2Pak Delivers High Power Density in Hybrid and Electric Vehicle Applications

(19.6.12) IR Introduces Family of Rugged, Reliable Automotive-Qualified Power MOSFETs Housed in TO-220 Fullpak Package

(30.5.12) IR:n kompaktit PowIRaudio™ -moduulit vähentävät komponenttien lukumäärää, pienentävät piirikortin kokoa jopa 70 prosenttia sekä helpottavat D-luokan vahvistimien suunnittelua

(23.4.12) IR's Family of TSOP-6 HEXFET® MOSFETs Offer Cost-Effective, Flexible Solution for Low Power Applications

(13.4.12) International Rectifier Presents Latest Power Management Solutions at PCIM Europe 2012

(18.1.12) Moottorien nopeudensäätö helpottuu – IR:n säätöpiirille IRMCK171 myönnettiin IMQ-sertifiointi

(14.12.11) IR:n tehokertoimen korjauspiiri IRS2500 µPFC™ vähentää liitäntäpiirien ja hakkuriteholähteiden häiriöherkkyyttä

(21.11.11) IR laajentaa kestävien, ultranopeiden UPS-, aurinkokenno-, moottori- ja hitsauslaitesovelluksiin tarkoitettujen 600 V IGBT-transistoriensa valikoimaa

(21.11.11) IR:n eristämättömiin ohjainsovelluksiin tarkoitetun suurjännitteisen lediohjaimen IRS2980 LEDrivIR™ avulla paranevat sekä suorituskyky että kustannustehokkuus

(2.11.11) IR:n loistelampun liitäntäpiiri 'Mini8' IRS2526DS vähentää komponenttien lukumäärää, helpottaa piirisuunnittelua ja parantaa hyötysuhdetta valaistussovelluksissa

(26.10.11) IR:n kompakti, luotettava, autokäyttöön hyväksytty 600 V hilaohjainpiiri AUIRS2332J helpottaa suunnittelua

(26.10.11) IR julkaisee autokäyttöön hyväksytyn, erityisesti sähkö- ja hybridiajoneuvoihin optimoidun 600 V IGBT-transistorien perheen

(26.10.11) IR tehostaa SupIRBuck® Online Design Tool -suunnittelutyökaluaan helpottaakseen kuormapisteen regulaattorien kehitystyötä

(11.10.11) Tehokkaat, luotettavat ultranopeat 1200 V IGBT-transistorit sopivat ihanteellisesti induktiokuumennus-sovelluksiin

(12.8.2011) IR laajentaa PQFN-valikoimaansa julkaisemalla pienitehoiset kaksois-tehomosfetit PQFN2x2 ja PQFN3.3x3.3

(12.8.11) IR julkaisee autokäyttöön tarkoitetun, tiheästi integroidun älykkäiden tehokytkimien perheen AUIR331x, jossa on virtaa mittaava takaisinkytkentä

(9.8.11) IR julkaisee mikroreleiden käyttäjille tarkoitetun, releiden valintaa ja soveltamista helpottavan oppaan

(1.8.11) IR:n kestävien, ajoneuvoluokiteltujen 40…75 V mosfettien perheellä on raskaisiin kuormituksiin sopiva alhainen päästösuunnan resistanssi

(29.6.11) IR:n kestävien, luotettavien PQFN4x4-koteloon asennettujen suurjännitteisten hilaohjainpiirien jalanjälki on jopa 85 % entistä pienempi

(16.6.11) IR laajentaa piiriensä kotelovalikoimaa julkaisemalla pientehosovelluksiin tarkoitetun tehomosfettisarjan ultrakompaktissa PQFN2x2-kotelossa

(6.6.11) IR julkaisee autojen moottoriohjaukseen tarkoitetun, tiiviisti integroidun älykkään tehokytkimen AUIR3330S jossa on aktiivinen di/dt-säätö

(6.6.11) Autokäyttöön tarkoitettu DirectFET®2-tehomosfettisarja on optimoitu suurta tehotiheyttä ja hyvää hyötysuhdetta vaativiin DC-DC-sovelluksiin

(18.5.11) IR:n autokäyttöön tarkoitetut mosfetit uudessa WideLead-kotelossa vähentävät johdinresistanssia 50 % ja lisäävät virransyöttökykyä 30 %

(6.5.11) IR:n lediohjainpiiri IRS2548D parantaa hyötysuhdetta, yksinkertaistaa rakennetta ja vähentää järjestelmäkustannuksia

(6.5.11) IR:n kaksikanavainen D-luokan audiovahvistimen ohjainpiiri IRS2052M takaa erinomaisen äänenlaadun entistä pienemmässä koossa

(26.4.11) Uusi ajoneuvoluokan mosfettiperhe tarjoaa kestävän, kompaktin järjestelmäratkaisun

(28.3.11) IR:n tehokertoimen korjauspiiriperhe tarjoaa sekä parannetun suojauksen että pienemmän laitekoon pienemmillä kustannuksilla

(21.3.11) IR:n 60 ampeerin IR3550 PowIRstage®-konvertterilla saavutetaan suurin virta pienimmästä kotelosta luokkansa parhaalla hyötysuhteella

(16.3.11) IR julkaisee energiatehokkaisiin tietokoneisiin ja kuluttajasovelluksiin tarkoitetun skaalattavan regulaattoriperheen

(3.3.11) International Rectifier Acquires CHiL Semiconductor, a Leading Supplier of Digital Power Management Solutions

(15.2.11) IR:n uusi, hakkuriteholähteisiin tarkoitettu DirectFET®plus tehomosfettiperhe parantaa hyötysuhdetta jopa 2 %

 

 
Tuotepäällikkö:
Kari Nilsson
Puh: (09) 8599 1363
Toimitusseuranta: 
Pia Rissanen
Puh: (09) 8599 1362
sähköpostiosoitteet muodossa:
etunimi.sukunimi@flinkenberg.fi
International Rectifier netissä:
www.irf.com
 
Jaa:

International Rectifier

International Rectifier (IR) – on Yhdysvalloissa vuonna 1947 perustettu puolijohdevalmistaja. IR’n edustajana Suomessa on yhtäjaksoisesti vuodesta 1956 alkaen toiminut Oy Flinkenberg Ab.

IR:n kehittämät tuotteet mahdollistavat älykkäämmin ja viileämpinä toimivat tuotteet jotka parantavat energia-taloudellisuutta.

Maailman nopeimmin kasvava teollisuusala, elektroniikkateollisuus, ja maailmanlaajuisesti jatkuvasti lisääntyvä tehoelektroniikan tarve, tekee IR’n omistautumisesta alalle yhä arvokkaamman.

IR:n tuotteet vastaavat tehonsyötöstä seuraavan sukupolven tietokoneissa, autoissa, satelliiteissa sekä kodinkoneissa. Samalla asetetaan tehoelektroniikan suorituskyvyn ja mekaniikan standardit, koko tuotevalikoimalle, jotka johtavat tekniseen etumatkaan muihin valmistajiin nähden;

IR:n tuotteet mahdollistavat joukon kilpailukykyisiä hyötyjä:   
  • IR on toiminut teknisenä uranuurtajana jolla on monta keskeistä patenttia liittyen teknologioihin jotka muodostavat nykyisen teho MOSFET teollisuuden.
  • IR keskittyy yksinomaan tehosiruihin ja järjestelmiin, ja kehittää ainutlaatuisia tuotteita jotka tuovat lisäarvoa asiakkaiden lopputuotteisiin.
  • Suurvolyymituotantoon keskittyneet tehtaat asettavat tämän alan kustannusten tavoitetasot.
  • Tuotekehitykseen panostetaan voimakkaasti, ja tuloksena syntyy jatkuvasti erikoistuotteita jotka ovat kohdennettu nopeasti kasvaviin sovellusalueisiin.

International Rectifier toimittaa teho elektroniikan suurelle määrälle teollisuusaloja, kuten, autoteollisuuteen, kulutustuotteisiin, tietokone/oheislaitteisiin, valaistukseen, puhelimiin sekä sotilas/avaruus-sovelluksiin. IR kehittää ja valmistaa ratkaisuja koko tehonhallinta prosessiin, muuntaen karkean sähkönverkon sähkön, puhtaaksi lopputuotteessa käyttökelpoiseksi sähköksi.

Sisältäen:

  • Ohjausyksiköt kuten kytkinohjaimet, MOS Gate ohjaimet ja älykkäät teho kytkimet jotka säätävät tehonmuunnos prosessia.
  • Kytkentäyksiköt kuten MOSFET ja IGBT transistorit joita käytetään kytkemään sähköinen kuorma päälle ja pois.
  • Jakeluyksiköt kuten MOSFET transistorit ja Mikroelektroniset releet jotka jakavat sähköenergiaa kuormalle tai sähkökojeelle.
  • Integroidut Ratkaisut kuten analogiset IC piirit, edistykselliset ohjainpiirit ja teho järjestelmät jotka optimoivat kytkennän kokonais-suorituskykyä, tarjoten lisäarvoa kohdesovellukseen.
 

International Rectifier uutiset

IR6966A

(11.6.13) IR's New 1200V IGBTs Deliver Higher Power Density and Increased Efficiency for Motor Drive and UPS Applications

IR6966AInternational Rectifier has introduced a family of rugged 1200V ultra-fast insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) optimized for industrial motor drive and UPS systems.        

The new devices leverage IR’s field stop trench ultra-thin wafer technology that delivers lower conduction and switching losses. Co-packaged with a soft recovery low Qrr diode and featuring a 10us minimum short circuit time rating, the devices are optimized for rugged industrial applications.

These new 1200V trench IGBTs feature very low Vce(on) and low switching losses while offering higher system efficiency and rugged transient performance for increased reliability making them well suited to harsh industrial environments.

The packaged devices cover a broad current range from 10 – 50A. Other key performance benefits include Tjmax of 150°C, positive VCE(on) temperature coefficient for easy paralleling and low VCE(on) to reduce power dissipation and achieve higher power density.  Die products are also available.

Specifications

Packaged

Part Number

Package

VCES

IC (nom)

Vceon

Tsc (min)

IRG7PH30K10D

TO-247AC

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH30K10D-E

TO247AD long lead

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH37K10D

TO-247AC

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH37K10D-E

TO247AD long lead

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D

TO-247AC

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D-E

TO247AD long lead

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH50K10D

TO-247AC

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PH50KD-E

TO247AD long lead

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PSH54K10D

Super TO-247

1200 V

50 A

1.9 V

10us

Die

Part Number

VCES

IC (nom)

Vceon

Tsc (min)

IRG7CH30K10B

1200 V

9 A

2.0 V

10us

IRG7CH37K10B

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7CH44K10B

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7CH50K10B

1200 V

35 A

1.9 V

10us

IRG7CH54K10B0-R

1200 V

50 A

1.9 V

10us

IRG7CH73K10B-R

1200 V

75 A

1.9 V

10us

IRG7CH75K10B-R

1200 V

100 A

1.9 V

10us

IRG7CH81K10B-R

1200 V

150 A

1.9 V

10us

Datasheets and an IGBT online selection tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com.  The selection tool can be accessed directly at mypower.irf.com/IGBT.

Photo Caption: IR’s latest 1200V ultra-fast insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

About International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) is a world leader in power management technology. IR’s analog and mixed signal ICs, advanced circuit devices, integrated power systems and components enable high performance computing and reduce energy waste from motors, the world’s single largest consumer of electricity. Leading manufacturers of computers, energy efficient appliances, lighting, automobiles, satellites, aircraft and defense systems rely on IR’s power management benchmarks to power their next generation products. For more information, go to www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6979A

(6.6.13) IR Introduces IRS44273L Compact Low-Side Gate Drive IC in SOT-23-5L Package

IR’s new IRS44273L low-side gate drive ICInternational Rectifier has introduced the IRS44273L low-side gate drive IC offering high drive capability in a highly compact SOT-23-5L package. 

Easy to use, the IRS44273L provides a simple solution for IGBT and MOSFET gate drive, offering 1.5A (typical) sink and source capability, fast switching performance and integrated under-voltage lockout protection with minimal board space requirements. This new device offers functionality previously only available in larger packages such as an SO-8 enabling more compact and economical system design.

Offering  the highest available drive current for a low-side driver in an SOT-23-5L package enables designers to use this new IC  in place of larger SO-8 devices to significantly reduce solution size.

The IRS44273L has two output pins on either side of the package to simplify system design by offering layout flexibility. The device has non-inverted inputs and is compatible with CMOS and LSTTL controllers.

Specifications

Part Number

Package

IO+ / IO-
(Typical)

TON / TOFF
(Typical)

Logic

IRS44273L

SOT23-5L

1.5A / 1.5A

50ns / 50ns

Non-Inverted

Datasheets are available on the International Rectifier Web site at www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6963A

(27.5.13) IR Expands PowIRaudio™ Family with the Introduction of 60V IR4321M and IR4322M Integrated Power Modules

60 V IR4321M and IR4322M integrated power modulesInternational Rectifier has expanded its PowIRaudio™ family with the introduction of the single channel IR4321M and dual channel IR4322M integrated power modules.  The 60V IR4321M and IR4322M complement the existing product offering and expand the power capability of low load-impedance Class D audio systems in applications including car audio systems, tabletop audio systems, active speakers and musical instruments (with integrated amplifiers).

The combination of an advanced audio controller IC with MOSFETs fully optimised for audio performance results in improved efficiency, THD, and EMI, allowing the IR432xM family to operate without a mechanical heatsink over a wide power supply range on either a single or split power supply. High voltage ratings and noise immunity ensure reliable operation over various environmental conditions.

These new IR4321M and IR4322M PowIRaudio™ modules further expand IR’s portfolio of integrated power modules to offer higher power capability for 2Ohm loads up to 90W per channel without the need for a heatsink.

Additional features common to the family include over-current protection, thermal shutdown, internal/external shutdown and floating differential input.

Two reference designs, the IRAUDAMP21 and IRAUDAMP22, featuring the IR4321M and IR4322M respectively are also available.

Module Specifications

Part Number

Number of Channels

Power Supply Voltage

Peak Output Power
(RMS per CH) with heatsink

Peak Output Power
(RMS per CH) without heatsink

Package

IR4321MPbF

1

60V or +/- 30V

135W (2Ω)

90W (2Ω)

PQFN 5x6mm

IR4322MPbF

        2

60V or +/- 30V

100W (2Ω)

50W (2Ω)

PQFN 7x7mm

Reference Designs

Reference Design

Featured Part

Descriptions

Output Power

IRAUDAMP21

IR4321M

IR4321 split power supply

135W*1ch 2Ω load

IRAUDAMP22

IR4322M

IR4322 split power supply

100W*2ch 2Ω load

 

Datasheets and application notes are available on the International Rectifier website at www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6957A

(11.3.13) IR Enhances Online IGBT Product Selector and Performance Evaluator Tool to Further Simplify Device Selection and Optimization

International Rectifier Online IGBT Product SelectorInternational Rectifier has enhanced its Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) selection tool that enables design optimization in a wide range of applications including motor drives, uninterruptable power supplies (UPS), solar inverters, and welding.

IR’s latest IGBT selection tool evaluates application conditions including bus voltage, load current, switching frequency, short-circuit requirements, package and thermal system. New features include customizable thermal constraint setting and Current vs. Frequency output chart that conveniently compare devices over a range of operating conditions.

Located at http://mypower.irf.com/IGBT, the IGBT selection tool returns a shortlist of products that meet or exceed the application parametres entered by the user. The products are ranked by performance with losses and junction temperature for the specified operating condition to help facilitate the selection process.

IGBT selection requires evaluation of many parametres that cannot be simplified into a single metric, as switching losses can be traded for conduction losses. To address this problem, IR’s product selection tool generates a Current vs. Frequency graph that provides a powerful indication of the relative performance of different IGBTs. With this information the designer can select the most cost-effective IGBT for the application.

More information is available on the International Rectifier website at http://www.irf.com/whats-new/nr130307.html.

About International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) is a world leader in power management technology. IR’s analog and mixed signal ICs, advanced circuit devices, integrated power systems and components enable high performance computing and reduce energy waste from motors, the world’s single largest consumer of electricity. Leading manufacturers of computers, energy efficient appliances, lighting, automobiles, satellites, aircraft and defense systems rely on IR’s power management benchmarks to power their next generation products. For more information, go to www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6955A

(25.2.13) IR's AUIR3200S Offers Enhanced Protection and Diagnostics for Automotive Relay Replacements and Battery Switches

IR AURIR3200S Automotive Gate DriverInternational Rectifier has launched the automotive-qualified AUIR3200S MOSFET driver IC with comprehensive protection and diagnostic features offering enhanced reliability for relay replacements and battery switch applications.

Available in an SO8 package, the AUIR3200S features over-current protection and over-temperature protection in addition to a diagnostic feature to report a short on the load. When designed with two AUIRLS3034-7P power MOSFETs, an on-state resistance (Rds(on)) as low as 0.75mohm can be achieved.

The new device is qualified according to AEC-Q100 standards, features an environmentally friendly, lead-free and RoHS compliant bill of materials, and is part of IR's automotive quality initiative targeting zero defects.

A datasheet including Application Note is available on the International Rectifier website at www.irf.com.

Specifications

Part Number

Topology

Package

Operating  voltage

Output voltage

Special feature

AUIR3200S

High-side driver

SO-8

6-36V

5.7V

Over-current protection
Over-temperature protection

siirry sivun alkuun


IR6940

(11.2.13) IR Expands Portfolio of Rugged, Reliable 600V Trench Ultrafast IGBTs

IR 600V trench ultrafast IGBTInternational Rectifier has announced the expansion of its family of 600V insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with the introduction of the IRGP4640D, IRGP4650D and IRGP4660D. The new rugged, reliable devices are optimized for uninterruptible power supplies (UPS), solar, induction heating, industrial motor and welding applications.

The 40A IRGP4640D, 50A IRGP4650D and 60A IRGP4660D IGBTs utilize trench thin wafer technology to offer lower conduction and switching losses. Co-packaged with a soft recovery low Qrr diode, the new devices are optimized for ultra-fast switching (8-30kHz) with 5us short circuit rating, and feature low Vce(on) and positive Vce(on) temperature coefficient for easy paralleling.

“The introduction of these new devices underlines IR’s commitment to expanding its IGBT portfolio. The new IRGP4640D, IRGP4650D and IRGP4660D deliver a rugged, reliable 40-60A solution for designers looking to optimize system performance,” said Llewellyn Vaughan-Edmunds, IGBT Product Marketing Manager, IR’s Energy Saving Products Business Unit.

The new IGBTs are suitable for a wide range of switching frequencies and deliver higher system efficiency and rugged transient performance. They are offered in an industry standard TO-247 package, with a maximum junction temperature of 175 °C and low EMI for improved reliability.

Specifications

Part Number

Package

BV

Ic(100C)

Vceon

Rth(j-c)

Type

IRGP4640DPBF
IRGP4640D-EPBF

TO-247AC
TO-247AD

600

40A

1.6V

0.60°C/W

Ultrafast

IRGP4650DPBF
IRGP4650D-EPBF

TO-247AC
TO-247AD

600

50A

1.6V

0.56°C/W

Ultrafast

IRGP4660DPBF
IRGP4660D-EPBF

TO-247AC
TO-247AD

600

60A

1.6V

0.45°C/W

Ultrafast

Datasheets and an IGBT online selection tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6942

(21.1.13) IR's 300V Power MOSFETs Offer Benchmark Rds(on) to Improve System Efficiency in Industrial Applications

300V Power MosfetsInternational Rectifier has launched a family of 300V devices featuring IR's latest power MOSFET silicon that deliver benchmark on-state resistance (Rds(on)) for a wide range of high efficiency industrial applications such 110-120 VAC line conditioners and 110-120 VAC power supplies, and DC to AC inverters including solar inverters and Uninterruptible Power Supplies (UPS).

The new portfolio of power MOSFETs offers ultra-low Rds(on) to improve system efficiency  and may allow designers to reduce part count where multiple MOSFETs are used in parallel.
The new devices are qualified to industrial grade and moisture sensitivity level 1 (MSL1), are offered lead free and are RoHS compliant.

Datasheets and a MOSFET product selection tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com.

Specifications

Part Number

Rdson Max
@ 10Vgs (mOhm)

Qg Typ (nC)

Id

Package

IRFB4137PBF

69

83

40

TO-220

IRFP4137PBF

69

83

40

TO-247

IRFP4868PBF

32

180

70

TO-247

About International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) is a world leader in power management technology. IR’s analog and mixed signal ICs, advanced circuit devices, integrated power systems and components enable high performance computing and reduce energy waste from motors, the world’s single largest consumer of electricity. Leading manufacturers of computers, energy efficient appliances, lighting, automobiles, satellites, aircraft and defense systems rely on IR’s power management benchmarks to power their next generation products. For more information, go to www.irf.com.

siirry sivun alkuun


IR6921

IR Expands PowIRaudio family of integrated power(14.1.13) IR Expands PowIRaudio™ Family of Integrated Power

International Rectifier has expanded its PowIRaudio™ family of integrated power modules with the introduction of the IR4311M and IR4312M.  The 40V IR4311M and IR4312M offer a compact, heatsink-free solution for low power Class D audio applications including tabletop audio systems, active speakers and musical instruments with integrated amplifiers.

The combination of an advanced audio controller IC with MOSFETs fully optimized for audio performance results in improved efficiency, THD, and EMI, allowing the IR43xxM family to operate without a mechanical heatsink over a wide power supply range on either a single or split power supply. High voltage ratings and noise immunity ensure reliable operation over various environmental conditions.

Additional features common to the family include over-current protection, thermal shutdown, internal/external shutdown and floating differential input. The IR4312M also offers clip detection.

Two reference designs, the IRAUDAMP15 and IRAUDAMP18, featuring the IR4311M and IR4312M respectively are also available.

Production orders are available immediately and the new devices are MSL2 industrial-qualified and RoHS compliant. Datasheets and application notes are available on the International Rectifier website at www.irf.com.

Module Specifications

Part Number

Number of Channels

Power Supply Voltage

Peak Output Power
(RMS per CH)

Package

IR4311MPbF

1

40V or +/- 20V

35W

PQFN 5x6mm

IR4312MPbF

 2

40V or +/- 20V

35W

PQFN 7x7mm

 
Reference Designs

Reference Design

Featured Part

Descriptions

Output Power

IRAUDAMP15

IR4311M

IR4311
single power supply

35W*2ch 4Ω load/no heatsink

IRAUDAMP18

IR4312M

IR4312
single power supply

35W*2ch 4Ω load/no heatsink

siirry sivun alkuun


IR6938A

(18.12.12) IR's Three-Phase IR3230SPbF Gate Drive IC Simplifies eBike Design

International Rectifier has introduced the IR3230SPbF three-phase gate drive IC for eBike inverters providing efficient electric mobility.

IR's three-phace IR3230SPbF gate drive IC simplifies eBike designThe IR3230SPbF is a highly integrated three-phase gate drive IC designed specifically to meet the needs of eBike inverters. The new device offers input range up to 60V, enabling operation from 48V battery systems, regeneration mode to recharge the battery, and the integration of many protection features to reduce component count and improve system reliability. 

The IR3230SPbF integrates the sensor interface and 120°/60° selection capability which eliminates the need for a programmable logic array, and simplifies the control scheme while an integrated charge pump enables the removal of three electrolytic capacitors required in a typical system. 

The IR3230SPbF is available in an SOIC28 package featuring an environmentally friendly, lead-free and RoHS compliant bill of materials. A datasheet, qualification standards, Spice Model and design tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com. Production orders are available immediately.

Specifications

Part Number

Topology

Package

Input voltage

Output Source/Sink Current

IR3230SPBF

Three-phase Driver

SOIC28

6-60V

+/- 350mA

siirry sivun alkuun


IR6918A

(30.11.12) IR Introduces StrongIRFET™ Power MOSFET Family for Industrial Applications Requiring Ultra-Low On-State Resistance

IR6918International Rectifier has introduced a family of StrongIRFET™ power MOSFETs featuring ultra-low on-state resistance (RDS(on)) for a wide variety of industrial applications including battery packs, inverters, uninterruptible power supplies (UPS), solar inverters, forklift trucks, power tools, mobility scooters and ORing and hot swap applications.

In addition to very low RDS(on), the high current ratings of these new devices helps improve system reliability and may save on part count when replacing lower performing devices.

This new family of StrongIRFET devices offers a wide selection of benchmark performance MOSFETs for the industrial market. The diverse package offering provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application.

Datasheets and a MOSFET product selection tool are available on the International Rectifier website at http://www.irf.com.

Specifications

Part Number

BVDSS

ID @ 25°C

Rds(on) max @ Vgs = 10V

Qg @ Vgs = 10V

Package

IRFR7440TRPbF

40V

90A

2.5mOhm

89nC

D-Pak

IRFS7437TRL7PP

40V

195A

1.5mOhm

150nC

D2-7pin

IRFS7437TRLPbF

40V

195A

1.8mOhm

150nC

D2-Pak

IRFS7440TRLPbF

40V

120A

2.8mOhm

90nC

D2-Pak

IRFH7004TRPbF

40V

100A

1.4mOhm

134nC

PQFN56

IRFH7440TRPbF

40V

85A

2.4mOhm

92nC

PQFN56

IRFH7446TRPbF

40V

85A

3.3mOhm

65nC

PQFN56

IRF7946TRPbF

40V

90A

1.4mOhm

141nC

DirectFET Medium Can

IRFB7430PbF

40V

195A

1.3mOhm

300nC

TO-220AB

IRFB7434PbF

40V

195A

1.6mOhm

216nC

TO-220AB

IRFB7437PbF

40V

195A

2mOhm

150nC

TO-220AB

IRFB7440PbF

40V

120A

2.5mOhm

90nC

TO-220AB

IRFB7446PbF

40V

118A

3.3mOhm

62nC

TO-220AB

IRFP7430PbF

40V

195A

1.3mOhm

300nC

TO-247

siirry sivun alkuun


IR6934

(14.11.12) IR's Gen8 1200V IGBT Technology Platform Delivers Benchmark Efficiency and Ruggedness for Industrial Applications

IR kahdeksannen sukupolven 1200V IGBTInternational Rectifier, IRÒ (NYSE: IRF), a world leader in power management technology, today introduced a new generation Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) technology platform. The Generation 8 (Gen8) 1200V IGBT platform utilizes IR’s latest generation trench gate field stop technology to offer best-in-class performance for industrial and energy saving applications.

The novel Gen8 design allows best-in-class Vce(on) to reduce power dissipation and increase power density, and delivers superior robustness.

“With the development of this new benchmark technology and state-of-the-art IGBT silicon platform, IR underlines its decades of commitment to the advancement of power electronics technology. Our goal is to achieve 100 percent inverterization of all electric motors for a more efficient use of electric energy and a greener environment,” said Alberto Guerra, Vice President Strategic Marketing, Energy Saving Products Business Unit.

The new technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. A narrow distribution of parameters offers excellent current sharing when paralleling multiple IGBTs in high-current power modules.  The thin wafer technology delivers improved thermal resistance and maximum junction temperature up to 175°C.

“IR’s Gen8 IGBT platform offers a superior technology targeting industrial applications. With best-in-class Vce(on), robustness and excellent switching characteristics, this IGBT platform has been specifically tailored to achieve the demanding challenges of the industrial market,” said Llewellyn Vaughan-Edmunds, IGBT Product Marketing Manager, IR’s Energy Saving Products Business Unit.

More information is available on the International Rectifier website at www.irf.com

Specifications

IR Part Number

VCES

IC (NOM)

VCE(ON) (typ)

Package

IRG8CH15K10F

1200V

10A

1.7

Die on Film

IRG8CH20K10F

15A

IRG8CH29K10F

25A

IRG8CH38K10F

35A

IRG8CH42K10F

40A

IRG8CH50K10F

50A

IRG8CH76K10F

75A

IRG8CH97K10F

100A

IRG8CH137K10F

150A

IRG8CH182K10F

200A

siirry sivun alkuun


IR6930

(17.10.12) IR Expands Family of IGBTs with 600V Trench Ultrafast IRGR4045DPBF and IRGS4045DPBF for Appliance Motor Drives

International Rectifier has expanded its family of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with the introduction of the IRGR4045DPbF and IRGS4045DPbF. The new 600V Trench ultrafast IGBTs offer improved performance and higher efficiency for appliance and light industrial motor drive applications including washers and refrigerators.

600v Trench ultrafast IGBTsThe IRGR4045DPbF and IRGS4045DPbF utilize IR’s thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies. Co-packaged with a diode and available in DPAK and D2Pak packages, the new IGBTs feature a nominal current of 6A and a minimum short circuit rating of ≥ 5µs.

The new devices also offer low VCE(on) to reduce power dissipation and achieve higher power density, and positive VCE(on) temperature coefficient for easy paralleling. The IRGR4045DPbF and IRGS4045DPbF are suitable for a wide range of switching frequencies, optimized up to 20kHz.

Offered as both die and packaged devices other key features of the IRGR4045DPbF and IRGS4045DPbF include optimized square reverse bias safe operating area (RBSOA), maximum junction temperature of 175 °C and low EMI for improved reliability.

Datasheets and an IGBT online selection tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com.  The selection tool can be accessed directly at mypower.irf.com/IGBT. The devices are RoHS compliant .

Specifications

Part Number

Package

BV

Ic(100C)

Vceon

Rth(j-c)

Type

IRGR4045DPBF

DPAK

600

6

1.7

1.9 oC/W

Ultrafast

IRGS4045DPBF

D2PAK

600

6

1.7

1.9 oC/W

Ultrafast

siirry sivun alkuun


IR6924

(13.8.12) IR's Automotive-Qualified 600V Trench IGBTs in D2Pak Delivers High Power Density in Hybrid and Electric Vehicle Applications

International Rectifier has announced the introduction of a family of automotive-qualified 600V IGBTs for electric and hybrid vehicle applications including air conditioner inverters, pumps and Positive Temperature Coefficient (PTC) heaters.

Automotive qualified 600V trench IGBTs in D2PakCo-packaged with a diode and available in a D2Pak package for compact surface mount systems, the new 600V trench IGBTs feature a nominal current of 24A and a minimum short circuit rating of 5μs. The new devices also offer low VCE(on) to reduce power dissipation and achieve higher power density, and positive VCE(on) temperature coefficient making the devices well suited for paralleling. The family of IGBTs also features an optimized square reverse bias safe operating area (RBSOA), and up to 175°C maximum operating temperature.

The new IGBT is also available in TO-262 and TO-220 packages for standard through-hole assembly.  IR’s automotive IGBTs are subject to dynamic and static part average testing combined with 100 percent automated wafer level visual inspection as part of IR’s automotive quality initiative targeting zero defects. The new devices are all environmentally friendly and assembled with IR’s automotive grade bill of materials which are lead-free and RoHS compliant.

Specifications

Part Number

Package

V­CES

Ic max @ 100˚C

Vce(on) typ. @ 25ͦ˚C

tSC

Integrated Diode

AUIRGS4062D1

D2Pak

600V

24A

1.60

≥ 5μs

Yes

AUIRGSL406D1

TO-262

600V

24A

1.60

≥ 5μs

Yes

AUIRGB40621

TO-220

600V

24A

1.60

≥ 5μs

Yes

Datasheets, application notes and qualification standards are available on the International Rectifier website at www.irf.com. Spice models are available on request.

siirry sivun alkuun


IR6919

(19.6.12) IR Introduces Family of Rugged, Reliable Automotive-Qualified Power MOSFETs Housed in TO-220 Fullpak Package

International Rectifier has launched a family of automotive-qualified power MOSFETs housed in a rugged TO-220 fullpak package for automotive applications including BLDC motors, pumps and cooling systems.
           
The new 55V planar devices are available as standard and logic level gate drive MOSFETs in N and P channel configuration, and offer a maximum on-state resistance (Rds(on)) as low as 8mOhm. The TO-220 fullpak package eliminates the need for additional insulating hardware to simplify design and improve overall system reliability.

automotive qualified power mosfets housed in TO-220 fullpak packageBased on IR’s proven planar technology, this new family of MOSFETs available in a TO-220 fullpak package performs well in linear mode and in automotive applications where a rugged, reliable MOSFET is needed to drive highly inductive loads.

IR’s automotive MOSFETs are subject to dynamic and static part average testing combined with 100 percent automated wafer level visual inspection as part of IR’s automotive quality initiative targeting zero defects. AEC-Q101 qualification requires that there is no more than a 20 percent change in Rds(on) after 1,000 temperature cycles of testing. However, in extended testing IR’s new AU bill of materials demonstrated a maximum Rds(on) shift of less than 10% at 5,000 temperature cycles, showing the strength and ruggedness of the bill of materials.

The new devices are qualified according to AEC-Q101 standards, feature an environmentally friendly, lead-free and RoHS compliant bill of materials. Datasheets and qualification standards are available on the International Rectifier website at www.irf.com and spice models are available on request.

Standard Gate Drive

Part Number

Package

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 10VGS (mOhm)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 10VGS (nC)

AUIRFI3205

TO-220 FullPak

55

8.0

56

113

AUIRFIZ44N

TO-220 FullPak

55

24

28

43

AUIRFIZ34N

TO-220 FullPak

55

40

19

23

AUIRFI4905

TO-220 FullPak

-55

20

-74

120

Logic Level Gate Drive

Part Number

Package

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 4.5VGS (mOhm)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 4.5VGS (nC)

AUIRLI2505

TO-220 FullPak

55

8.0

58

130

About International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) is a world leader in power management technology. IR’s analog and mixed signal ICs, advanced circuit devices, integrated power systems and components enable high performance computing and reduce energy waste from motors, the world’s single largest consumer of electricity. Leading manufacturers of computers, energy efficient appliances, lighting, automobiles, satellites, aircraft and defense systems rely on IR’s power management benchmarks to power their next generation products.

siirry sivun alkuun


IR6914

(30.5.12) IR:n kompaktit PowIRaudio™ -moduulit vähentävät komponenttien lukumäärää, pienentävät piirikortin kokoa jopa 70 prosenttia sekä helpottavat D-luokan vahvistimien suunnittelua

International Rectifier PowIRaudioInternational Rectifier on julkaissut suorituskykyisiin kotiteatterijärjestelmiin ja autoissa käytettäviin audiovahvistimiin tarkoitetun integroidun tehomoduuliperheen PowIRaudio™. Uusiin piireihin on integroitu samaan koteloon PWM-ohjain sekä kaksi digitaalista audiotehomosfettia.  Ne muodostavat erittäin tehokkaan, kompaktin ratkaisun, joka vähentää komponenttien lukumäärää, pienentää piirikortin kokoa jopa 70 % sekä helpottaa huomattavasti D-luokan vahvistimen suunnittelua.

Kehittyneen audio-ohjainpiirin sekä vahvistinkäyttöön optimoitujen mosfettien yhdistelmän etuja ovat parantunut hyötysuhde, alhaisempi harmoninen särö sekä pienentynyt sähkömagneettinen häiriösäteily. Näiden ansiosta voidaan piiriperhettä IR43xxM käyttää ilman mekaanista jäähdytyslaippaa hyvin suurella tehoalueella, joko yhdellä tai jaetulla virtalähteellä. Suuri jännitekestoisuus ja hyvä kohinaimmuniteetti varmistavat luotettavan toiminnan erilaisissa ympäristöolosuhteissa.

Yksikanavainen IR4301M ja kaksikanavainen IR4302M tarjoavat joustavan mahdollisuuden suunnitella stereovahvistimia ja erilaisia monikanavaisia laitteita, kun taas 5x6 mm ja 7x7 mm PQFN-koteloidut piirit sopivat pienempikokoisiin D-luokan vahvistimiin.

Piiriperheen yhteisiä etuja ovat ylivirtasuojaus, lämpötilakatkaisu, sisäinen tai ulkoinen katkaisu sekä kelluva differentiaalitulo. Piirissä IR4302M on lisäksi leikkautumisen ilmaisu.

Näiden piirien käytön helpottamiseksi on saatavana suuri joukko erilaisia mallikytkentöjä.

Moduulien teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kanavien määrä

Syöttöjännite

Huippulähtöteho
 (RMS kanavaa kohti)

Kotelo

IR4301MPbF

1

80 V tai ±40 V

130 W

PQFN 5x6 mm

IR4302MPbF

2

80 V tai ± 40 V

70 W

PQFN 7x7 mm

Mallikytkennät

Tyyppi

Sis. piirin

Kuvaus

Lähtöteho

IRAUDAMP12

IR4301M

IR4301 jaettu teholähde

130W*2-kan. 4Ω ei jäähd.laippaa

IRAUDAMP16

IR4302M

IR4302 jaettu teholähde

70W*2-kan. 4Ω ei jäähd.laippaa

IRAUDAMP17

IR4302M

IR4302 yksi teholähde

100W*2-kan. 4Ω jäähd.laippa

IRAUDAMP19

IR4301M

IR4301 yksi teholähde

100W*2-kan. 4Ω jäähd.laippa

IRAUDPS3

IRS27952S

Audio AC/DC-teholähde

200W ±30V

Tuotantomäärät ovat heti saatavana. Piirit ovat MSL2-luokiteltuja ja RoHS-yhteensopivia. siirry sivun alkuun


IR6893

PCIM Europe, 8th – 10th May 2012, Hall 11, 111

(23.4.12) IR's Family of TSOP-6 HEXFET® MOSFETs Offer Cost-Effective, Flexible Solution for Low Power Applications

IR6893International Rectifier has launched an extensive portfolio of devices featuring IR’s latest low-voltage HEXFET® MOSFET silicon in a TSOP-6 package for low power applications including load switch, charge and discharge switches for battery protection and inverter switches.

Featuring very low on-state resistance (RDS(on)) to significantly cut conduction losses, the new power MOSFETs are available as 20V and 30V devices in N-and P-Channel configurations with a maximum gate drive from 12Vgs to 20Vgs.

IR’s new portfolio of power MOSFETs in a TSOP-6 package complement the company’s existing devices housed in SOT-23 and SO-8 packages to provide customers more flexibility in designing their systems.  As a result of the low RDS(on) of this platform, these devices can be used to replace MOSFETs in larger packages to save board space and reduce system cost.

All of the new devices are MSL1 and RoHS compliant containing no lead, bromide or halogen.

Datasheets and a MOSFET product selection tool are available on the International Rectifier website at www.irf.com.

Specifications

Part Number
(- TRPbF)

BVDSS

Max VGS

Id  max @ 25ºC

Typ/Max RDS(on) @ …(mΩ)

10V

4.5V

2.5V

IRFTS9342

-30V

20V

5.9A

31/39

53/66

NA

IRLTS2242

-20V

12V

6.9A

N/A

26/32

45/55

IRLTS6342

30V

12V

7.8A

12/20

15/24

IRFTS8342

30V

20V

8.2A

15/19

22/29

N/A

siirry sivun alkuun


(13.4.12) International Rectifier Presents Latest Power Management Solutions at PCIM Europe 2012

International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), a world leader in power management technology, today announced the company will showcase its latest power management solutions at PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2012 which is being held at the Nuremberg Exhibition Center, Nuremberg, Germany, May 8-10, 2012.

IR on mukana PCIM messuilla

IR engineering and sales staff will demonstrate IR’s latest energy-saving and high power density enabling technologies and products at the IR booth, Hall 11, Stand 111. In addition, IR’s power management experts will participate in the following conference events:

Tuesday May 8, 2012
Converter Control and Drive, Session PP28, 3.30p.m.-5.00p.m.
Presenter: Cesare Bocchiola
Topic: Parametric Design Guidelines for MV Oven inverter

Converter and EMI, Session PP48, 3.30p.m. - 5.00p.m.
Presenters: Peter Bredemeier, Tom Ribarich
Topic: Frequency Dither Circuit for Electronic Ballast EMI Design

Converter and EMI, Session PP49, 3.30p.m.-5.00p.m.
Presenter: Akos Hodamy on behalf of Tom Ribarich
Topic: Simple Control Circuits for Electronic Ballasts

Wednesday May 9, 2012
PEE Special Session, 10.30a.m.
Presenter: Dr. Michael A. Briere, ACOO Enterprises under contract with International Rectifier
Topic: High Frequency Switching Devices for Renewable Energy Applications

Thermal Management, Session PP78, 3:30p.m. -5.00p.m.
Presenters: Heratch Namagerdi, Steve Oknaian
Topic: The Importance of Packaging and Second Level Interconnection in Power Electronic Applications

Hakan Karlsson will participate in Bodo’s podium discussion on Efficient DC-DC conversion from 12.20p.m. to 1.20p.m.

In addition, a vendor presentation focusing on IR’s new leading-edge solution for automotive applications will be presented by Benjamin Jackson from 12 noon-12.20p.m.

The IR booth will feature the company’s latest power management solutions for a wide range of applications including demonstrations of the newest automotive and motor control products and GaN-based power device platform, GaNpowIR®. IR’s latest ICs for lighting and AC-DC switch mode power supplies (SMPS), CHiL digital controllers and SupIRBuck® integrated voltage regulators for DC-DC applications, as well as benchmark MOSFETs and IGBTs will also be featured.

“PCIM Europe is a key industry event and we look forward to introducing IR’s latest power management innovations including our new motor control and automotive solutions to the engineering community,” said Adam White, IR’s Senior Vice President, Worldwide Sales.

PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) is Europe's leading meeting-point for experts out of the areas of Power Electronics and its applications in Intelligent Motion and Power Quality. From the latest developments of power semiconductors, passive components, products for thermal management, new materials, sensors as well as servo-technology and the wide area of power quality and energy-management - PCIM offers a comprehensive, focused and compact presentation of products all under one roof. For more information go to http://www.mesago.de/en/PCIM/main.htm

About International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) is a world leader in power management technology. IR’s analog and mixed signal ICs, advanced circuit devices, integrated power systems and components enable high performance computing and reduce energy waste from motors, the world’s single largest consumer of electricity. Leading manufacturers of computers, energy efficient appliances, lighting, automobiles, satellites, aircraft and defense systems rely on IR’s power management benchmarks to power their next generation products. For more information, go to www.irf.com.

Trademark Notice

IR®, CHiL®, SupIRBuck® and GaNpowIR® are registered trademarks of International Rectifier Corporation. All other product names noted herein may be trademarks of their respective holders.

siirry sivun alkuun


IR6900

(18.1.12) Moottorien nopeudensäätö helpottuu – IR:n säätöpiirille IRMCK171 myönnettiin IMQ-sertifiointi

International Rectifier on ilmoittanut, että yhtiön uusi, talouskoneiden moottorien anturittomaan ohjaukseen tarkoitettu, kertaohjelmoitava ROM-pohjainen, monoliittinen sekasignaalipiiri IRMCK171 on saanut IEC-standardin 60335-1 liitteen R mukaisen IMQ-hyväksynnän.

Uusi sertifiointi yksinkertaistaa ja nopeuttaa entisestään piiriä IRMCK171 käyttävien kotitalouskoneiden suunnittelua vähentämällä ohjelmiston testausprosessin työvaiheita. Sertifioinnin ansiosta voi talouskoneen valmistaja helpommin saada tuotteelleen nykyisin pakollisen turvahyväksynnän.

Piiri IRMCK171on osa integroitua iMOTION™-moottorinohjausalustaa, jossa on IR:n patentoidun, koodaustarpeen eliminoivan algoritmin sisältävä liikkeenohjausjärjestelmä MCETM  (Motion Control Engine). Piiriin integroitu 8-bittinen, 60MIPS mikro-ohjain 8051 sallii sovelluskerroksen ohjelmistokehityksen. Se toimii lähes MCE-järjestelmästä riippumatta eikä kilpaile systeemiresursseista, kuten keskeytyksistä tai sisäisistä rekistereistä. Sulautettuun ASE-järjestelmään (Analog Signal Engine) on integroitu kaikki kestomagneettimoottorin anturittomassa ohjauksessa tarvittavat signaalinmuokkauspiirit.

 “Kodinkoneiden moottorien nopeudensäädöllä on säästöjen kannalta suuri merkitys energian kulutuksessa. Elektronisen säätöyksikön suunnittelu on kuitenkin vaativa tehtävä. Laitteen suorituskyvyn on oltava hyvä ja hinnan on silti sovelluttava massamarkkinoille, mikä edellyttää pienikokoisia, edullisia komponentteja ja kokoonpanoa helpottavaa, tehokasta integrointia”, sanoi IR:n energiansäästötuotteiden liiketoiminnan strategisen markkinoinnin apulaisjohtaja Alberto Guerra.

Hän lisäsi: “IR:n iMOTION-alusta sisältää kehitysjärjestelmän, analogiset sekasignaalipiirisarjat sekä tehoasteet. Alustan käyttö yksinkertaistaa moottoriohjauksen rakennetta ja sen avulla saadaan energiaa säästävät, kustannustehokkaat ratkaisut nopeammin markkinoille. Alusta toimii erinomaisena syynä valmistajille ottaa kodinkoneissa käyttöön muuttuvanopeuksiset kestomagneettimoottorit. Piirin IRMCK171 ansiosta nopeutuvat suunnittelu- ja turvallisuussertifiointiprosessit entisestään.”

Lisätietoa integroidusta iMOTION-suunnittelualustasta saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com

International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) on tehonhallintatekniikan markkinoilla johtoasemassa koko maailmassa. IR:n analogiset ja sekasignaalipiirit, kehittyneet piiriratkaisut, integroidut tehojärjestelmät ja komponentit lisäävät tietokoneiden laskentatehoa ja vähentävät energiahukkaa moottoreissa, jotka muodostavat maailman suurimman yksittäisen sähkötehon kuluttajaryhmän. Tietokoneiden, energiaa säästävien kodinkoneiden, valaisimien, autojen, satelliittien, lentokoneiden ja puolustuslaitteiden johtavat valmistajat luottavat IR:n tehonhallintatuotteisiin seuraavan sukupolven tuotteissaan. Lisätietoja saa IR:n verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.

Patentit ja tavaramerkit

iMOTION™ on International Rectifier Corporationin rekisteröimä tavaramerkki. Kaikki muut tekstissä mainitut tuotenimet voivat olla omistajiensa tavaramerkkejä.

siirry sivun alkuun


IR6884

(14.12.11) IR:n tehokertoimen korjauspiiri IRS2500 µPFC™ vähentää liitäntäpiirien ja hakkuriteholähteiden häiriöherkkyyttä

IR tehokertoimen korjauspiiri IRS2500International Rectifier on julkaissut tehokertoimen korjauspiirin IRS2500S µPFC™, joka on tarkoitettu käytettäväksi hakkuriteholähteissä, lediohjaimissa sekä loistelamppujen ja kirkkaiden purkauslamppujen (HID; High-intensity Discharge Lamp) elektronisissa liitäntälaitteissa.

Korjauspiiri IRS2500S µPFC voidaan konfiguroida toimimaan joko boost- tai flyback-moodissa. Piirissä on myös harmonisen kokonaissärön optimointi, joka vähentää kuormavirran harmonista säröä. Ohjaimen kohinaimmuniteetti on hyvä, mikä helpottaa suunnittelua ja vähentää kokonaiskustannuksia.

Uusi korjauspiiri laajentaa IR:n hakkuriteholähteissä ja valaistusohjaimissa käytettävien piirien valikoimaa. Se vähentää laitteiden kohinaherkkyyttä, yksinkertaistaa piirikortin rakennetta ja antaa suunnittelijoille kustannustehokkaan vaihtoehdon aikaisempiin ratkaisuihin.

Piiri IRS2500S on SO-8-koteloitu ja sen ominaisuuksia ovat mm. alle 50 µA käynnistysvirta, 2,5 mA lepovirta, +800mA/-600mA ohjauskyky, staattinen ja dynaaminen ylijännitesuojaus sekä ylivirtasuojaus. Piirin lyhyt minimitoiminta-aika sallii tehokertoimen korjauksen laajalla alueella.

Tuotantomäärät ovat heti saatavana. Piirit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.

Datalehti ja sovellusesimerkki löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.

Teknisä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

Lepovirta

Vref

Io

IRS2500SPBF

SO-8

< 50 µA

2,5 V

+800mA / - 600mA

siirry sivun alkuun


IR6888A

(21.11.11) IR laajentaa kestävien, ultranopeiden UPS-, aurinkokenno-, moottori- ja hitsauslaitesovelluksiin tarkoitettujen 600 V IGBT-transistoriensa valikoimaa

600v IGBT transistoritInternational Rectifier on laajentanut kestävien, ultranopeiden 600 V trench-tyyppisten IGBT-transistoriensa valikoimaa kahdella uudella tyypillä, IRGPS4067DPbF ja IRGP4066DPbF, jotka on tarkoitettu erityisesti UPS-laite-, aurinkokenno-, teollisuusmoottori- ja hitsauslaitesovelluksiin.

Uusissa transistoreissa sovelletaan trench-tyyppistä ohutsirutekniikkaa, jonka ansiosta saavutetaan pienemmät johtumis- ja kytkentähäviöt. Transistorit on co-pack-koteloitu yhdessä pehmeästi elpyvän diodin kanssa ja optimoitu ultranopeaa kytkentää (8…30 kHz) varten. Niiden oikosulkukesto on 5 µs ja ne ovat helposti rinnan kytkettävissä alhaisen Vce(on)-arvon ja sen positiivisen lämpötilakertoimen ansiosta. Myös kytkentähäviöt ovat pienet, joten järjestelmän kokonaishyötysuhde on hyvä ja luotettavuus paranee, koska myös transienttikestoisuus on hyvä.

Transistorit ovat saatavana sekä siruina että koteloituina, myös ilman määriteltyä oikosulkukestoisuutta. Muita näiden uusien transistorien tärkeitä, luotettavuutta parantavia ominaisuuksia ovat liitoksen suurin lämpötila 175 °C sekä alhainen häiriösäteily.

Tuotantomääriä on heti saatavana. Datalehdet sekä IGBT-transistorien online-valintatyökalu löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Työkaluun pääsee suoraan osoitteella mypower.irf.com/IGBT.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

BV

Ic(100°C)

Vceon

Rth(j-c)

Tyyppi

IRGPS4067D

Super TO247

600

120

1,9

0.20° C/W

Ultranopea

IRGP4066D

TO-247

600

75

1,9

0,33° C/W

Ultranopea

siirry sivun alkuun


IR6883A

(21.11.11) IR:n eristämättömiin ohjainsovelluksiin tarkoitetun suurjännitteisen lediohjaimen IRS2980 LEDrivIR™ avulla paranevat sekä suorituskyky että kustannustehokkuus

lediohjain IRS2980International Rectifier on julkaissut uuden suurjännitteisen buck-regulaattoripiirin IRS2980, joka on tarkoitettu eristämättömiin lediohjainsovelluksiin, kuten hehkulamppuvalaistuksen korvaamiseen ledeillä sekä yleensä ledivalaistukseen ja muihin lediohjainsovelluksiin.

Piirin IRS2980 suurin jännite on 600 V ja se on ensimmäinen jäsen uudessa suurjännitteisten LEDrivIR™-ohjainpiirien perheessä, jossa sovelletaan tarkkaa virtaregulointia hystereettisen keskivirtaohjauksen avulla. Buck-tyyppisessä lediohjaimessa on suurjännitteisen sisäisen regulaattorin avulla toimiva alapuolen mosfettiohjaus sekä yläpuolen virtamittaus. Konvertteri sopii elektroniseen PWM-himmennykseen, joka sallii virran säädön alueella 0…100 %.

“Nopeasti kasvavalla puolijohdevalaistuksen alalla tarvitaan huokeaa ohjainelektroniikkaa, joka pystyy syöttämään vakiovirtaa suuritehoisille ledivalaisimille. Uuden piirin IRS2980 LEDrivIR™ etuina ovat parannettu suorituskyky ja vaihtoehtoisia ratkaisuja alhaisemmat järjestelmäkustannukset eristämättömissä lediohjainsovelluksissa”, sanoi IR:n energiansäästöyksikön lediryhmän johtaja Peter Green.

Piiri IRS2980 on asennettu SO-8-koteloon ja sen valmistuksessa sovelletaan IR:n kehittynyttä suurjännitepiirien prosessia. Sen etuina ovat uusimman sukupolven jännitetason siirto sekä päätetekniikka, joiden avulla saavutetaan muiden uusien ominaisuuksien lisäksi erinomainen suojaus ylikuormaa vastaan sekä parempi luotettavuus käytössä.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kotelo

Jännite

VTH

Io

Suurin taajuus

IRS2980SPBF

SO-8

600 V

0,5 V

+/- 180/260 mA

150 kHz

Suunnittelutyökalut

Datalehti ja sovellusesimerkki ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Mallikytkentä IRPLLED7, johon sisältyy piiri IRS2980DS, on myös saatavana.

siirry sivun alkuun


IR6892

(2.11.11) IR:n loistelampun liitäntäpiiri 'Mini8' IRS2526DS vähentää komponenttien lukumäärää, helpottaa piirisuunnittelua ja parantaa hyötysuhdetta valaistussovelluksissa

loistelampun liitäntäpiiri Mini 8 IRA2526DSMaailman johtaviin tehonhallintatekniikan erikoistuntijoihin lukeutuva International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), on tänään julkaissut pienloistelamppujen (CFL; compact fluorescent lamp) liitäntäpiirin IRS2526DS ‘Mini8’, joka on täysin ohjelmoitavissa, erittäin tarkka ja sopii kaikille lampputyypeille. Uusi, monipuolinen piiri toimitetaan 8-nastaisessa SO-kotelossa. Se on pienikokoinen, yksinkertaistaa piirisuunnittelua ja parantaa valaisimen hyötysuhdetta.

Piirissä IRS2526DS on 600 V puolisiltatyyppinen muuttuvataajuinen, 50 prosentin pulssisuhteella toimiva ohjain, joka syöttää resonoivaa lähtöä lampulle. Tarkkaa oskillaattoria ohjaa tulonastan signaali, jonka avulla asetetaan lampun toimintataajuudet. Täydellinen vikasuojapiiri suojaa verkkojännitteen katkokselta ja hetkelliseltä alijännitteeltä, lampun syttymättömyydeltä, hehkulangan katkokselta sekä loppuun kulumiselta. Piirissä on myös johtumishäiriöitä vähentävä suodatus, induktorin kokoa pienentävä sytytyksen valvonta sekä loppuun palamisen ilmaisin.

“Uusi piiri IRS2526DS poikkeaa huomattavasti aikaisemmista ratkaisuista, sillä siihen sisältyy joukko ominaisuuksia ja toimintoja, joita ei ennen ole ollut saatavana 8-nastaisessa kotelossa. Se on erittäin helppokäyttöinen ja sitä käyttäen voivat asiakkaat nopeuttaa huomattavasti tehokkaiden elektronisten liitäntälaitteittensa suunnittelutyötä”, sanoi IR:n energiansäästö-liiketoiminnan valaistuslaiteosaston johtaja Tom Ribarich.

Piiri IRS2526DS on IR:n kolmannen sukupolven loistelampun liitäntäpiiri. Siinä sovelletaan aikaisemmassa IRS2580DS ‘Combo8’-piirissä hyväksi havaittua tekniikkaa, jossa monipuolinen liitäntäpiiri ja suorituskykyinen tehokertoimen korjauspiiri on yhdistetty samaan, kompaktiin 8-nastaiseen koteloon. Uusi piiri on tarkoitettu sovelluksiin, joissa ei tarvita erillistä tehokertoimen korjausohjainta. 

Teknisiä tietoja

Tyyppi­numero

Kotelo

VOFFSET

VCC

IO+

IRS2526DS

S08

600 V

15,6 V

180 mA

Suunnittelutyökalut

Datalehti ja sovellusesimerkki ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Mallikytkentä IRPLMB7E 220VAC/50Hz 18 W TCL-lamppua varten, jossa on piirin IRS2526DS lisäksi suunnitteluohjelmisto Ballast Design Assistant (BDA) V5.0, on saatavana pyynnöstä.

siirry sivun alkuun


IR6891

(26.10.11) IR:n kompakti, luotettava, autokäyttöön hyväksytty 600 V hilaohjainpiiri AUIRS2332J helpottaa suunnittelua

600V hilaohjainpiiri AUIRS2332JInternational Rectifier on julkaissut 600 voltin kolmivaiheisen hilaohjainpiirin AUIRS2332J sähkö- ja hybridiajoneuvosovelluksiin.

Piiri AUIRS2332J on suurjännitteinen, nopea mosfetti- ja IGBT-ohjain, jossa on kolme toisistaan riippumatonta ylä- ja alapuolen lähtökanavaa. Patentoitu suurjännitetekniikka mahdollistaa kestävän monoliittisen rakenteen, jossa on CMOS- ja LSTTL-lähtöihin sopivat logiikkatulot aina 3,3 V jännitteelle saakka. Piiriin on myös integroitu operaatiovahvistin ulkoisella siltavirran mittausvastuksella toimivaa analogista takaisinkytkentää varten, virtaliipaisutoiminto sekä ylivirta- tai alijännitesulun ilmaiseva vikasignaali. Kotelona on PLCC44, jossa suurjännitenastojen väliset ryömintäetäisyydet ovat tavallista suuremmat, mikä helpottaa sijoittelua piirikortille.

AUIRS2332J on tiiviisti integroitu ja siinä on hyvin monipuoliset suojausominaisuudet. Sen avulla on mahdollista suunnitella entistä pienikokoisempi laiterakenne, jolla kuitenkin on sähkö- ja hybridiajoneuvojen moottoriohjauksissa ja invertterisovelluksissa vaadittava luotettavuus ja kestävyys.

Piiri AUIRS2332J on mitoitettu kestämään normaalikäytössä esiintyvät negatiiviset transientit, mikä lisää järjestelmän luotettavuutta. Lähtöohjaimissa on suuria virtapulsseja kestävä puskuriaste, joka on suunniteltu mahdollisimman pientä ohjainasteiden ylikuulumista silmälläpitäen. Korkeilla taajuuksilla käyttöä helpottavat sovitetut etenemisviiveet. Kelluvaa kanavaa voidaan käyttää ohjaamaan N-kanavaista tehomosfettia tai IGBT-transistoria yläpuolen konfiguraatiossa.

Kaikki IR:n ajoneuvokäyttöön tarkoitetut piirit testataan dynaamisesti ja staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja osana IR:n Zero Defect -ohjelmaa sirut tarkastetaan vielä visuaalisesti 100 % automaattimenetelmällä. Uudet piirit ovat luokiteltuja AEC-Q100:n mukaan ja ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä sekä RoHS-yhteensopivia.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kotelo

Voffset

Vout

Io

Ton/Toff

AUIRS2332J

PLCC44

600 V

10…20 V

+250 mA /
-500 mA

540 ns

Datalehdet, sovellusesimerkit ja laatustandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Spice-mallit ovat saatavana tilauksesta.siirry sivun alkuun


IR6887

(26.10.11) IR julkaisee autokäyttöön hyväksytyn, erityisesti sähkö- ja hybridiajoneuvoihin optimoidun 600 V IGBT-transistorien perheen

600V IGBT transistoriInternational Rectifier on julkaissut autokäyttöön hyväksytyn 600 V IGBT-transistorien perheen, joka on optimoitu sähkökäyttöisten ja hybridiajoneuvojen muuttuvanopeuksisten moottorien ohjaukseen sekä virtalähdesovelluksiin.

Uudet piirit kattavat laajan virta-alueen ja niillä on oikosulkunopeus  ≥ 5 μs, alhainen Vce(on)-arvo sekä positiivinen Vce(on)-jännitteen lämpötilakerroin, joten ne sopivat erilaisiin moottorikäyttöihin ilmastointilaitteista tehoinverttereihin saakka virtatiheyksille 24…160 A. Muita uuden perheen ominaisuuksia ovat neliömäinen RBSOA-alue (square reverse bias safe operating area), integroitu pehmeästi elpyvä diodi sekä liitoksen maksimilämpötila 175 °C. 

IR:n uuden, ajoneuvokäyttöön hyväksytyn 600 V IGBT-perheen jäsenien etuna on pienet johtumis- ja kytkentähäviöt, joten ne sopivat erinomaisesti erilaisiin muuttuvanopeuksisten moottorien ohjauksiin sähkökäyttöisissä ja hybridiajoneuvoissa.

Kaikki IR:n ajoneuvokäyttöön tarkoitetut piirit testataan dynaamisesti ja staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja osana IR:n Zero Defect -ohjelmaa sirut tarkastetaan vielä visuaalisesti 100 % automaattimenetelmällä. Uusissa piireissä käytetään tarkoitukseen hyväksyttyjä materiaaleja ja ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä sekä RoHS-yhteensopivia.

Datalehdet, sovellusesimerkit sekä laatustandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Spice-malleja on saatavana pyynnöstä.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

V­CES

Ic max @ 100˚C

Vce(on) tyyp. @ 25ͦ˚C

tSC

Integroitu diodi

AUIRGPS4067D1

Super-TO-247

600 V

160 A

1,70 V

≥ 5 μs

On

AUIRGP4066D1(-E)

TO-247

600 V

90 A

1,70 V

≥ 5 μs

On

AUIRGP4063D(-E)

TO-247

600 V

48 A

1,65 V

≥ 5 μs

On

AUIRGP4062D(-E)

TO-247

600 V

24 A

1,60 V

≥ 5 μs

On

siirry sivun alkuun


IR6882

(26.10.11) IR tehostaa SupIRBuck® Online Design Tool -suunnittelutyökaluaan helpottaakseen kuormapisteen regulaattorien kehitystyötä

SupIRBuck online Design suunnittelutyökaluInternational Rectifier on laajentanut integroitujen SupIRBuck®-jänniteregulaattoreiden suunnitteluun tarkoitetun online-suunnittelutyökalunsa toimintoja käsittämään myös uudet piirit, joissa sovelletaan hystereettistä COT-tyyppistä (hysteretic constant on-time), kevyen kuorman hyötysuhdetta parantavaa säätötekniikkaa.

Tämä helppokäyttöinen, interaktiivinen verkkopohjainen työkalu on saatavana osoitteessa http://mypower.irf.com/SupIRBuck. Sen avulla voidaan valita, simuloida sähköisesti ja lämpöteknisesti sekä optimoida yli 15 integroitua SupIRBuck-jänniteregulaattoria. Laajennettu tuotevalikoima käsittää suurjännitteisiä regulaattoripiirejä (27 V) virroille 15 A saakka kahdessa kotelotyypissä (5 x 6 mm ja 4 x 5 mm). Parannettuihin simulaattoriominaisuuksiin kuuluu nyt ainutlaatuinen kyky kompensoida COT-säätöpiirit edullisempia sovelluksia varten alumiinielektrolyyttikondensaattoreita käyttäen tai suurempitaajuisiin sovelluksiin keraamisia kondensaattoreita käyttäen.

SupIRBuck-työkalu valitsee suunnittelijan antamien tulo- ja lähtöparametrien perusteella kuhunkin sovellukseen parhaiten sopivat piirit. Kun perusvaatimukset on annettu, työkalun avulla voidaan valita kytkentäkaavio, luoda mallikytkentä osaluetteloineen, tarkastella aaltomuotoja sekä suorittaa monimutkaisia lämpö- ja sovellusanalyysejä helposti ja nopeasti, mikä nopeuttaa huomattavasti piirisuunnittelua.

“Toimitamme nopeasti laajenevalle asiakaspiirillemme parasta mahdollista suunnittelutukea”, sanoi IR:n tehokomponenttien liiketoimintayksikön POL-tuotteiden ryhmän johtaja Goran Stojcic. “Tiedämme, että tuotteitamme käytetään nykyisin yhä halvemmissa ja suurempitaajuisissa sovelluksissa, joten tarjoamme asiakkaillemme yhä monipuolisempaa valikoimaa kompensointijärjestelmiä, kuten alumiinielektrolyytteihin ja keraamisiin kondensaattoreihin pohjautuvia”, hän lisäsi. 

Työkalu on suunniteltu eritasoisten suunnittelijoiden käyttöön, tehotekniikan asiantuntijoista vain vähän analogiatekniikkaa tunteviin digitaalisten laitteiden erikoistuntijoihin saakka. Työkalun tunnistamien SupIRbuck-piirien valikoima kattaa kuormavirrat 15 A saakka, tulojännitteet 27 V saakka sekä pienetkin lähtöjännitteet aina 0,5 V saakka. Niitä varten on International Rectifierin verkkosivujen kautta osoitteessa www.irf.com saatavana sekä vakiomallisia että asiakaskohtaisia demonstraatiosarjoja, mallikytkentöjä, datalehtiä sekä sovellusesimerkkejä.

IR:n SupIRBuck-regulaattoreihin on integroitu yhtiön suorituskykyiset buck-säätöpiirit sekä huippuluokan HEXFET® trench-tekniikkaa soveltavat mosfetit kompaktissa Power QFN‑kotelossa, mikä pienentää piirin jalanjälkeä verrattuna erilliskomponenttiratkaisuihin sekä parantaa täyden kuorman hyötysuhdetta 8…10 % verrattuna monoliittisiin IC-piireihin.

siirry sivun alkuun


(11.10.11) Tehokkaat, luotettavat ultranopeat 1200 V IGBT-transistorit sopivat ihanteellisesti induktiokuumennus-sovelluksiin

IR 1200V IGBT-transistoritInternational Rectifier on julkaissut kaksi tehokasta, luotettavaa ultranopeaa trench-tyyppistä IGBT-transistoria, jotka on optimoitu induktiokuumennukseen sekä erilaisiin resonanssikytkentäsovelluksiin, kuten hitsauslaitteisiin ja suurtehotasasuuntaukseen.

Uusissa 1200 V IGBT-transistoreissa sovelletaan IR:n koettua ohuen sirun trench-tekniikkaa, jolla saavutetaan oleellisia etuja, kuten alhainen VCE(on) sekä ultranopea kytkentä. Nämä vähentävät tehohäviöitä ja lisäävät tehotiheyttä. Lisäksi on transistoreilla järjestelmän luotettavuutta lisäävä 1300 V toistuvien jännitehuippujen kestokyky. Transistorit ovat Copack-koteloituja yhdessä pehmeästi elpyvän, alhaisella päästöjännitteellä toimivan ja suuren huippuvirran kestävän diodin kanssa, joka on optimoitu resonoivaa nollavirtakytkentää varten.

Uudet IGBT-transistorit täydentävät IR:n moottorikäyttöihin ja tehokytkimiin tarkoitettujen IGBT-transistorien perhettä. IR:n keskittyminen tehosovelluksiin merkitsee yhä tehokkaampaa transistorien optimointia erilaisten tehojärjestelmien teknisten vaatimusten mukaisiksi.

Datalehdet ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Tuotantomäärät ovat heti saatavissa.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

BV

Nimellis-virta

Vceon

Rth(j-c)

Tyyppi

IRG7PH35UD1

TO247 - Copack

1200

20

1,9

0,70 oC/W

Ultranopea

IRG7PH42UD1

TO247 - Copack

1200

30

1,7

0,39 oC/W

Ultranopea


IR6879

(12.8.2011) IR laajentaa PQFN-valikoimaansa julkaisemalla pienitehoiset kaksois-tehomosfetit PQFN2x2 ja PQFN3.3x3.3

PQFN kaksoistehomosfetit PQFN2x2 ja PQFN3.3x3.3International Rectifier on laajentanut PQFN-valikoimaansa julkaisemalla mosfetit PQFN 2 x 2 mm ja PQFN 3,3 x3,3 mm koteloissa. Uusiin koteloihin on integroitu kaksi HEXFET® ‑mosfettia, joissa sovelletaan IR:n uusinta piitekniikkaa. Sen ansiosta saavutetaan tiheä, kustannustehokas ratkaisu pientehoisiin sovelluksiin, kuten älypuhelimet, tablettitietokoneet, videokamerat, digitaaliset kamerat, tasavirtamoottorit, induktiolatauslaitteet sekä muistikirjamikrot ja erilaiset palvelin- ja Netcom-laitteet.

Uudet kaksoismosfetit PQFN2x2 ja PQFN3.3x3.3 sisältävät kaksi tehomosfettia ja niiden joko yhteisnielu- tai puolisiltarakenne on erittäin joustava. IR:n uusimman matalajännitteisen piitekniikan (N ja P) ansiosta ovat häviöt erittäin pienet. Esimerkiksi IRLHS6276 sisältää kaksi mosfettia, joiden tyypillinen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) on vain 33 mΩ ja pinta-ala vain 4 mm2.

Uudet PQFN-kaksoismosfetit muodostavat tiheän, kustannustehokkaan ratkaisun erilaisiin kytkentäsovelluksiin. Näiden uusien komponenttien ansiosta sisältää IR:n valikoima nyt useita pienjännitteisiä PQFN-tuotteita. Niiden joukossa on sekä N- että P-kanavaisia, 20 V ja 30 V yksittäisiä ja kaksoismosfetteja, joiden minimiohjauskyky on vähintään 4,5 V tai 2,5 V sekä päästösuunnan resistanssi erittäin pieni.

Kaksois-PQFN-mosfettien perhe sisältää myös P-kanavaisia transistoreita, jotka on optimoitu toimimaan kuormakytkimien yläpuolella, jossa niiden ohjaus on yksinkertaista. Niiden korkeus on alle 1 mm ja ne ovat olemassa olevien pinta-asennustekniikoiden mukaisia, niillä on standardoitu jalanjälki ja ne ovat RoHS-yhteensopivia.

Datalehdet ja mosfettien valintatyökalu löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com. Tuotantomäärät ovat heti saatavana.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

BV (V)

Max VGS

Typ. / Max RDS(on) @ 10V (mΩ)

Typ. / Max RDS(on) @ 4,5V (mΩ)

Typ. / Max RDSon @ 2,5V (mΩ)

IRFHS9351

PQFN
2x2

-30V

+/- 20 V

135 / 170

235 /  290

-

IRLHS6276

PQFN
2x2

+20V

+/- 12 V

-

33 / 45

46 / 62

IRLHS6376

PQFN
2x2

+30V

+/- 12 V

-

48 / 63

61 / 82

IRFHM8363

PQFN
3.3x3.3

+30V

+/- 20 V

12/15

16 / 21

-

siirry sivun alkuun


IR6881

(12.8.11) IR julkaisee autokäyttöön tarkoitetun, tiheästi integroidun älykkäiden tehokytkimien perheen AUIR331x, jossa on virtaa mittaava takaisinkytkentä

IR julkaisee autokäyttöön tarkoitetun tiheästi integroidun älykkäiden tehokytkimien perheen jossa on virtaa mittaava takaisinkytkentäInternational Rectifier on julkaissut autokäyttöön tarkoitetun, yläpuolen älykkäisiin tehokytkimiin (IPS; Intelligent Power Switch) sopivan piiriperheen AUIR331x, jossa on sekä tarkka virranmittaus että monipuolinen sisäinen suojaus. Uudet IPS-kytkinpiirit lisäävät luotettavuutta erityisesti hehkutulppien ohjauksessa, ulkoisissa PTC-lämmityslaitteissa sekä jäähdytyspuhaltimien ja sisätilojen ilmastoinnin ohjauksessa.

Virranmittauksen tarkkuus erityisesti pienillä virroilla sallii kuormavirran tarkan seurannan, joten prosessorille saadaan helposti diagnostiikkatietoa. Tyyppiesimerkkejä signaaleista ovat kuormavirran katkoksen ilmaisu sekä ennakkotieto ylikuormitustilanteesta tai moottorin juuttumisesta. Lisäksi on saatavana kytkinpiirin AUIR3313S:n hitaasti kytkevä versio AUIR3316S, joka auttaa vähentämään kohinaa EMI-herkissä ajoneuvosovelluksissa.

AUIR331x-perheen kytkinpiireissä on kaikki suojaustoiminnot, jotka tarvitaan turvallisissa ja luotettavissa ajoneuvosovelluksissa aina 30 A jatkuvaa kuormaa ja 90 A huippukuormaa varten. Tarkka virranmittaustoiminto antaa lisäarvoa mikroprosessoripohjaisiin järjestelmiin ja moduuleihin parantamalla diagnostiikkaominaisuuksia.

Virranmittaustakaisinkytkennän lisäksi on AUIR331x-perheen piireihin integroitu ylilämpötila- ja ylivirtakatkaisu, jotka toimivat oikosulkutilanteissa toistuvasti uusimman AEC Q100-012-standardin mukaisesti. Monessa sovelluksessa voidaan muut suojaustoimenpiteet, kuten sulakkeet jättää kokonaan pois. Ylivirtasuojaus on ohjelmoitava, joten se voidaan optimoida kuorman ja sovelluksen vaatimusten mukaan.

Napaisuuden vaihtuessa siirtyy päämosfettikytkin integroidun suojauksen ansiosta johtavaan tilaan, mikä pienentää runkodiodin kuormitusta vähentämällä lämpöongelmia tai poistamalla ne kokonaan. Muut ominaisuudet, kuten ESD-suojaus sekä aktiivinen lukituspiiri varmistavat turvallisen toiminnan sekä suojauksen vaikeissakin ajoneuvo-olosuhteissa.

Kaikki IR:n autokäyttöön tarkoitetut IPS-tuotteet testataan dynaamisesti ja staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja osana IR:n Zero Defect -ohjelmaa sirut tarkastetaan vielä visuaalisesti 100% automaattimenetelmällä. Uudet piirit on hyväksytty AEC-Q100-standardien mukaan ja ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-standardien mukaisia. Datalehdet ja luokitusstandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kotelo

Rdson
(max at 25C)

Ohjelmoitava ylivirtakatkaisu

TJ

Läpi-lyönti-jännite (min.)

Ylivirta- ja ylijännitesuojaus

AUIR3313S

D2PAK

7 mΩ

10...90 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3313

TO-220

7 mΩ

10...90 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3314S

D2PAK

12 mΩ

6...58 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3314

TO-220

12 mΩ

6...58 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3315S

D2PAK

20 mΩ

3...30 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3315

TO-220

20 mΩ

3...30 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3316S

D2PAK

7 mΩ

10...90 A

165°C

40 V

katkaisu

AUIR3316

TO-220

7 mΩ

10...90 A

165°C

40 V

katkaisu

siirry sivun alkuun


IR6878

(9.8.11) IR julkaisee mikroreleiden käyttäjille tarkoitetun, releiden valintaa ja soveltamista helpottavan oppaan

Microelectronic Designers Manual MERInternational Rectifier on julkaissut CD-levyllä oppaan nimeltään Microelectronic Relay (MER) Designers Manual, joka sisältää valintaoppaan, sovellusesimerkkejä, datalehtiä sekä suunnitteluvihjeitä yhtiön monipuolisen MER-tuotteiden valikoiman käyttäjille.

IR:n MER-tuotteiden valikoimaan kuuluu sekä mosfetti- että IGBT-pohjaisia valosähköisiä releitä ja eristintuotteita. Mosfettipohjaiset piirit ovat ihanteellisia puolijohdereleitä vaihto- ja tasavirtakuormien kytkentään sekä anturisignaaleille muutamasta milliampeerista useisiin satoihin watteihin teollisuuden säätimissä, instrumentoinnissa, ulkoisissa telecom-laitteissa, tietokoneiden oheislaitteissa sekä toimistokoneissa. DIP6-koteloiset, tehomosfettilähdöllä ja keskiulosotolla varustetut piirit lisäävät suunnittelun joustavuutta sekä AC/DC- että DC-laitteissa. IGBT-pohjainen valosähköinen rele sopii erinomaisesti kytkemään teollisuuden kuormia aina 400 W tai 280 VA saakka. Piiri on saatavana DIP14-kotelossa ja se on suoraan vaihtokelpoinen elohopeakoskettimisten kielireleiden kanssa.

Valosähköiset eristimet on varustettu yksi- tai kaksikanavaisella, optisesti eristetyllä lähdöllä, jota voidaan käyttää ohjaamaan suoraan erillisten tehomosfettien ja IGBT-transistoreiden hiloja, mikä antaa suunnittelijoille joustavan mahdollisuuden omien, räätälöityjen puolijohdereleiden luomiseen aina yli 1000 voltin ja 100 ampeerin kytkemiseen.

IR:n MER-tuotteet ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia. Uusi MER Designers Manual on saatavana tilauksesta International Rectifierin verkkosivujen kautta osoitteessa www.irf.com tai suoraan Flinkenbergiltä.

Mosfettipohjaiset MER-piirit

Tyyppi-numero

Kuorman jännite (VDC tai AChuippu) max.

Kuormavirta (mAAC/DC) max.

Kuormavirta (mADC-only) max.

Päästösuunnan resistanssi (ΩAC/DC) max.

Päästösuunnan resistanssi
(ΩDC-only) max.

PVT212

150

550

825

0.75

0.25

PVT412A

400

240

360

6,0

2,0

PVG612A

60

2,000

4,000

0,1

0,035

PVN012A

20

4,000

6,000

0,05

0,015

IGBT-pohjainen MER


Tyyppinumero

Transientti-ylijännitten suojaus (V)

Kuormajännite DC max. (V)

Kuormajännite AC max. (VRMS)

Kuormavirta (AAC tai ADC) max.

PVX6012

600

400

280

1,0

siirry sivun alkuun


IR6877

(1.8.11) IR:n kestävien, ajoneuvoluokiteltujen 40…75 V mosfettien perheellä on raskaisiin kuormituksiin sopiva alhainen päästösuunnan resistanssi

International Rectifier on julkaissut ajoneuvoluokiteltujen mosfettien perheen, joka sopii moneen alhaista päästösuunnan resistanssia (RDSon) vaativaan tarkoitukseen, erityisesti perinteisissä, vaativissa polttomoottorisovelluksissa (ICE; Internal Combustion Engine) sekä mikro- ja hybridiajoneuvoympäristöissä. 

Uusien kestävien planaarimosfettien RDSon-arvo on alhainen. Niitä on saatavana eri jännitteille 40…75 V erilaisissa pinta-asennus- (SMD) ja nastakoteloissa. Piiri AUIRL1404S on logiikkatasoinen hilaohjausmosfetti, jota saa 40 V jännitteelle, ja muut uuden perheen jäsenet ovat vakiomallisia hilaohjausmosfetteja. joita on saatavana jännitteille 40, 55 ja 75 V.
           
Uusissa kestävissä planaarimosfeteissa sovelletaan IR:n koettua tekniikkaa ja niillä on erinomainen suorituskyky lineaarimoodissa. Laajan jännitealueen ansiosta ne sopivat myös korkeammalla jännitteellä toimiviin sovelluksiin, kuten trukkeihin.

Ajoneuvoluokitellut 40..75V mosfetitKaikki IR:n autokäyttöön tarkoitetut mosfetit testataan dynaamisesti ja staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja osana IR:n Zero Defect -ohjelmaa sirut tarkastetaan vielä visuaalisesti 100% automaattimenetelmällä. AEC-Q101-standardi vaatii, että RDSon-arvo ei muutu 20 % enempää testin tuhannen lämpötilajakson jälkeen. Testattaessa piirit IR:n uuden AU Bill of Materials -menetelmän mukaan osoittautui, että RDSon-arvo muuttui alle 10 % 5000 jakson jälkeen, mikä todistaa piirien kestävyyden.

Uudet mosfetit on hyväksytty AEC-Q101-standardien mukaan ja ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-standardien mukaisia. Datalehdet ja luokitusstandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Spice-mallit ovat saatavana pyynnöstä.

Teknisiä tietoja

Vakiotyyppinen hilaohjaus

Tyyppinumero

Kotelo

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 10VGS (mΩ)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 10VGS (nC)

AUIRF1404

TO-220

40

4

202

131

AUIRF1404S

D2PAK

40

4

162

160

AUIRF3504

TO-220

40

9,2

87

36

AUIRFR3504

DPAK

40

9,2

87

48

AUIRF2805

TO-220

55

4,7

175

150

AUIRF2805S

D2PAK

55

4,7

135

150

AUIRF1405

TO-220

55

5,3

169

170

AUIRFR2405

DPAK

55

16

56

70

AUIRFZ44N

TO-220

55

17,5

49

42

AUIRFZ44NS

D2PAK

55

17,5

49

63

AUIRFP2907

TO-247

75

4,5

209

410

AUIRF3808

TO-220

75

7

140

150

AUIRF3808S

D2PAK

75

7

105

150

AUIRF2807

TO-220

75

13

82

107

AUIRFR2407

DPAK

75

26

42

74

Logiikkatasoinen hilaohjaus

Tyyppinumero

Kotelo

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 4.5VGS (mΩ)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 4.5VGS (nC)

AUIRL1404S

D2PAK

40

5,9

160

93

siirry sivun alkuun

 


IR6875A

(29.6.11) IR:n kestävien, luotettavien PQFN4x4-koteloon asennettujen suurjännitteisten hilaohjainpiirien jalanjälki on jopa 85 % entistä pienempi

hilaohjainpiiri PQFN4x4 kotelossaInternational Rectifier on ilmoittanut laajentavansa kotelovalikoimaansa PQFN 4 x 4 mm kotelolla, jota käytetään uusimmissa suurjännitteisissä hilaohjainpiireissä. Nämä piirit mahdollistavat ultrakompaktin, tehokkaan ratkaisun hyvin moneen sovellukseen kotilaitteista ja teollisuusautomaatiosta alkaen sähkötyökaluihin ja vaihtoehtoisen energian ohjaukseen.

Uusi PQFN4x4-kotelo, jonka jalanjälki on vain 16 mm2, on modifioitu 16-nastaisesta MLPQ-kotelosta ja siihen voidaan asentaa monia erilaisia IR:n suorituskykyisistä suurjännitteisistä hilaohjaimista, jotka ovat aikaisemmin vaatineet niinkin suurikokoisen kotelon kuin laajarunkoinen SOIC-16. Uuden kotelon suunnittelussa on otettu huomioon asianmukaiset ryömintä- ja ilmavälietäisyysvaatimukset aina 600 V jännitteille saakka.

Uuden kotelon korkeus on alle 1 mm, joten se on yhteensopiva nykyisten pinta-asennusmenetelmien kanssa. Lisäksi se on MSL2-luokiteltu sekä RoHS-yhteensopiva.
International Rectifierin HVIC-tekniikassa on yhdistetty N- ja P-kanavaiset LDMOS-piirit älykkääksi ohjaimeksi. Piireillä on matalajännitteinen tulo ja niissä on hilaohjaus- ja suojausominaisuudet, jotka riittävät suurjännitteisiin teholähdesovelluksiin. Lisäksi on näissä monoliittisissä HVIC-piireissä integroituna piirisuunnittelua helpottavia ominaisuuksia ja kokonaiskustannuksia vähentäviä toimintoja, kuten mahdollisuus käyttää edullista, bootstrap-tyyppistä teholähdettä, jonka ansiosta päästään eroon suurikokoisesta ja kalliista ulkoisesta teholähteestä, jollaisen optokytkin- tai muuntajapohjaiset rakenteet tyypillisesti vaativat.

Tuotantomääriä on heti saatavana. Datalehdet löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kotelo

Topologia

Voffset (V)

 Io+ / Io- (tyyp.)

Ton / Toff (tyyp.)

Lisä-ominaisuuksia

IRS2113M

QFN4X4
14-L

Ylä / alapuolen ohjain

600

2,5 A / 2,5 A

140 ns /  120 ns

Jaksottainen reunaliipaistu sulkulogiikka

 IRS21814M

QFN4X4
14-L

Ylä / alapuolen ohjain

600

1,9A / 2,3 A

160 ns / 200 ns

 

IRS21844M

QFN4X4
14-L

Puolisilta

600

1,9 A / 2,3 A

600 ns / 230 ns

Ohjelmoitava kuollut aika 0,4…5 µs

IRS2001M

QFN4X4
14-L

Ylä / alapuolen ohjain

200

290 mA / 600 mA

160 ns / 150 ns

 

siirry sivun alkuun


IR6858

(16.6.11) IR laajentaa piiriensä kotelovalikoimaa julkaisemalla pientehosovelluksiin tarkoitetun tehomosfettisarjan ultrakompaktissa PQFN2x2-kotelossa

tehomosfettisarja pientehosovelluksiin ultrakompaktissa PQFN2x2 kotelossaInternational Rectifier on ilmoittanut laajentavansa piiriensä kotelovalikoimaa julkaisemalla 2 x 2 mm kokoiseen PQFN-koteloon asennetun HEXFET®-mosfettisarjan ultrakompakteja, tiheään integroituja ja tehokkaita ratkaisuja varten pienitehoisiin laitteisiin, kuten älypuhelimet, tablettitietokoneet, videokamerat, digitaaliset valokuvauskamerat sekä muistikirjamikrot, palvelinkoneet ja verkkolaitteet.

Uusien PQFN2x2-koteloiden jalanjälki on vain 4 mm2. Piirejä on saatavana 20 V, 25 V ja 30 V jännitteille varustettuina vakiomallisella logiikkaveräjäohjauksella. Niissä käytetään IR:n uusimpia pienjännitteisiä N- ja P-kanavaisia piitekniikoita, joiden ansiosta saavutetaan hyvin alhainen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) sekä suuri tehotiheys, kuten myös piireillä kotelotyypeissä PQFN3.3x3.3 ja PQFN5x6.

PQFN2x2-perheeseen kuuluu yläpuolen kuormakytkimiin optimoituja P-kanavaisia piirejä, joiden avulla saavutetaan entistä yksinkertaisempi ohjainratkaisu. Piirien korkeus on alle yhden millimetrin ja ne sopivat tavanomaisille pinta-asennustekniikoille, niiden jalanjälki on standardinmukainen ja ne ovat RoHS-yhteensopivia.
 

Tuotantomääriä on heti saatavana ja sekä datalehdet että mosfettien valintatyökalu löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Rakenne

BV (V)

Max Vgs (V)

Tyyp. / Max RDS(on) @ 10V (mΩ)

Tyyp./ Max RDS(on) @ 4,5V (mΩ)

Tyyp. / Max RDS(on) @ 2,5V (mΩ)

IRFHS9301

Single

-30

-20

30/37

48/60

-

IRLHS2242

Single

-20

-12

-

25 / 31

43 / 53

IRLHS6242

Single

+20

+12

-

9,4 / 11,7

12,4 / 15,5

IRLHS6342

Single

+30

+12

-

12 / 16

15 / 20

IRFHS8242

Single

+25

+20

10/13

17 / 21

-

IRFHS8342

Single

+30

+20

13/16

20 / 25

-

siirry sivun alkuun


IR6872

(6.6.11) IR julkaisee autojen moottoriohjaukseen tarkoitetun, tiiviisti integroidun älykkään tehokytkimen AUIR3330S jossa on aktiivinen di/dt-säätö

tehokytkin AUIR3330S jossa aktiivinen di/dt-säätäTehonhallintatekniikassa johtavassa asemassa oleva International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), on julkaissut autokäyttöön tarkoitetun älykkään tehokytkimen (IPS; Intelligent Power Switch) AUIR3330S, jossa on patentoitu, huomattavasti johtuneita EMI-häiriöitä ja kytkentähäviöitä vähentävä aktiivinen di/dt-ohjausominaisuus, joka helpottaa suunnittelutyötä ja vähentää järjestelmäkustannuksia.

Uuteen 40 V yläpuolen kytkinpiiriin on integroitu samaan koteloon bootstrap-regulaattori, latauspumppu sekä yläpuolen ohjain. Kuormaa voidaan ohjata jopa 40 kHz taajuudella 100 % toimintajaksolla. Lisäksi on piirissä AUIR3330S ohjelmoitava ylivirta- ja ylilämpötilasuojaus, joita tarvitaan ankarissa ajoneuvoympäristöissä, kuten pumpuissa ja puhaltimissa. Piirissä on myös virtaa mittaava takaisinkytkentä, diagnostiikkatoiminto, hyvin alhainen virrankulutus lepotilassa sekä suojaus staattisia purkausjännitteitä vastaan.

“IR:n innovatiivinen aktiivinen di/dt-ohjaus vähentää huomattavasti syöttöjännitteen johtuneita EMI-häiriöitä lisäämättä silti kytkentähäviöitä sekä mahdollistaa pienempikokoisemman EMI-suodattimen ja jäähdytyslaipan, joten kompaktista moottorijärjestelmästä saadaan tehokkaampi,” sanoi IR:n autotuotteiden liiketoimintayksikön markkinointipäällikkö David Jacquinod.

Kytkinpiiri AUIR3330S on hyväksytty AEC-Q100-standardin mukaan, se on ympäristöystävällinen, lyijytön ja RoHS-yhteensopiva sekä kuuluu osana IR:n autotuotteiden ’Zero Defects’-laatuohjelmaan.

Teknisiä tietoja

Tyyppi­
numero

Kotelo

Rdson
(max at 25°C)

Ohjelmoitava ylivirtasuojaus

TJ

Läpilyönti-jännite

Ylivirran ja lämpötilan suojaustapa

AUIR3330S

D2PAK
7-Lead

3,5 mohm

5…50 A

150 °C

40 V

katkaisu

 
Datalehdet ja laatustandardit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.  siirry sivun alkuun


IR6868

(6.6.11) Autokäyttöön tarkoitettu DirectFET®2-tehomosfettisarja on optimoitu suurta tehotiheyttä ja hyvää hyötysuhdetta vaativiin DC-DC-sovelluksiin

tehomosfetti autokäyttöönInternational Rectifier on julkaissut DirectFET®2-tehomosfettisarjan, joka on optimoitu polttomoottori- ja sähkökäyttöisiä sekä hybridiautoja varten.  

Uusi 40 V logiikkatasoinen hilaohjainsarja koostuu mosfeteista AUIRL7732S2 ja AUIRL7736M2. Se on optimoitu minimoimaan kytkentä- ja johtumishäviöt DC-DC-muuntimissa. Piirejä voidaan myös käyttää muissa raskaan kuorman sovelluksissa, kuten pumppujen ja puhaltimien invertteriohjauksissa sekä releiden korvaajina liitäntäkoteloissa.    

Kotelon DirectFET2 resistanssi on alhainen ja loisinduktanssi jopa kymmenesosa kotelon D2Pak vastaavasta arvosta, joten sillä on erinomainen suorituskyky suurtaajuisena kytkimenä. Sen kytkentävärähtely on vähäistä, mikä puolestaan vähentää EMI-häiriöitä ja pienentää suodattimen kokoa. Sillä on myös kaksipuolinen jäähdytys ja alhainen päästösuunnan resistanssi.

Logiikkatasoisen mosfetin AUIRL7732S2 hilavaraus (Qg) on pieni ja sen jalanjälki piirikortilla on 38 % pienempi kuin SO-8-kotelossa, joten se on hyvin sopiva ohjausmosfetiksi synkronisessa buck-tyyppisessä muuntimessa. Mosfetti AUIRL7736M2 puolestaan soveltuu synkroniseksi kytkimeksi ja sen päästösuunnan resistanssi Rds(on) sekä jalanjälki ovat yhtä suuret kuin koteloissa 5x6 PQFN tai SO-8. Molempien mosfettien alhainen induktanssi sallii paremman suorituskyvyn kytkennässä korkeilla taajuuksilla kuin perinteiset mosfetit.

Autokäyttöön tarkoitettu DirectFET 2-tuotelinja on monen vuoden tutkimus- ja kehitystyön tulosta. Tarkoituksena oli saada aikaan erityisesti autosovelluksiin tehty alusta, joka muodostuu luotettavista ja kuluttajasovelluksissa koetuista DirectFET-tuotteista.

Piirit on hyväksytty AEC-Q100-standardin mukaan, ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia sekä kuuluvat osana IR:n autotuotteiden ’Zero Defects’-laatuohjelmaan.

Datalehdet ja laatustandardit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Spice- ja saber-mallit ovat saatavana pyynnöstä.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

Vds

Rds(on) tyyp.

Rds(on) max

Qg (tyyp.)

AUIRL7732S2

S Can

40

5,0

6,6

22

AUIRL7736M2

M Can

40

2,2

2,9

52

siirry sivun alkuun


IR6871

(18.5.11) IR:n autokäyttöön tarkoitetut mosfetit uudessa WideLead-kotelossa vähentävät johdinresistanssia 50 % ja lisäävät virransyöttökykyä 30 %

autokäyttöön tarkoitetut mosfetit WideLead kotelossaTehonhallintatekniikassa johtavassa asemassa oleva International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), on julkaissut autokäyttöön hyväksytyn, uuteen WideLead TO-262-koteloon asennetun mosfettiperheen, jonka johdinresistanssi on vain puolet perinteisen TO-262-koteloisen mosfetin resistanssista ja virransyöttökyky on 30 % suurempi.

Uudet autokäyttöön tarkoitetut mosfetit on suunniteltu suuritehoisiin sovelluksiin esimerkiksi sekä polttomoottorikäyttöisten että hybridiautojen sähköisissä ohjaustehostimissa ja akkukytkimissä, joissa vaaditaan alhaista päästösuunnan resistanssia (Rds(on)). Mosfeteissa yhdistyvät IR:n kehittyneet pii- ja kotelointitekniikat, joiden ansiosta saavutetaan huomattavia parannuksia suorituskykyyn tinkimättä yhteensopivuudesta nykyisten suunnittelustandardien kanssa.

Vakiomallisissa aukkoasennettavissa TO-262 koteloissa voivat johtimet lisätä mosfetin päästösuunnan resistanssia jopa yhden milliohmin verran. Uusi WideLead TO-262-kotelo pienentää johdinresistanssin alle puoleen milliohmiin, mikä vähentää huomattavasti johtumishäviöitä ja johtimien lämpiämistä, joten virransieto lisääntyy 30 % verrattuna perinteiseen TO-262-koteloon samassa toimintalämpötilassa. Testissä havaittiin WideLead-kotelon johtimien olevan 30 % kylmempiä kuin vakiomallisella TO-262-kotelolla, kun virta oli 40 A, ja jopa 39 % kylmempiä 60 A virralla. Muut parannukset kotelon rakenteessa vähentävät edelleen resistanssia 20 % verrattuna samaan mosfettiin vakiomallisessa TO-262-kotelossa.  

“Uusi WideLead TO-262-kotelorakenne perustuu aikaisemmasta DirectFET® kotelosta sekä perinteisen TO-262-kotelon rajoituksista saatuihin kokemuksiin,” sanoi IR:n autotuotteiden liiketoimintayksikön tuotepäällikkö Benjamin Jackson. “Tämä uusi, IR:n WideLead-koteloon asennettu mosfettiperhe alentaa huomattavasti sekä johtumishäviöitä että johtimien lämpiämistä samalla, kun virta lisääntyy. Uudet mosfetit muodostavat kestävän ja luotettavan ratkaisun nykyaikaisiin autotekniikan sovelluksiin.”

Kaikki IR:n autokäyttöön tarkoitetut mosfetit testataan dynaamisesti ja staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja osana IR:n Zero Defect -ohjelmaa sirut tarkastetaan vielä visuaalisesti 100% automaattimenetelmällä

Mosfetit on hyväksytty AEC-Q101-standardien mukaan ja ne ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-standardien mukaisia.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 10VGS (mW)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 10VGS (nC)

AUIRF1324WL

TO-262WL

24

1,3

240

120

AUIRF3004WL

TO-262WL

40

1,4

240

160

Datalehdet, sovellusesimerkit ja laatustandardit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Spice-mallit ovat saatavana pyynnöstä.

siirry sivun alkuun


IR6865

(6.5.11) IR:n lediohjainpiiri IRS2548D parantaa hyötysuhdetta, yksinkertaistaa rakennetta ja vähentää järjestelmäkustannuksia

lediohjainpiiri IRS2548DInternational Rectifier on julkaissut hakkurivirtalähteiden (SMPS; Switched Mode Power Supply) ohjainpiirin IRS2548D, joka on tarkoitettu suuritehoisen ledivalaistuksen, kuten katujen, urheilukenttien ja teatterien valaistuksen energiatehokkaaseen ohjaukseen.

Piiriin IRS2548D on integroitu tehokertoimen korjaus (PFC; Power Factor Correction) sekä puolisiltaohjain samaan koteloon. Sen hyötysuhde 40 V / 1,3 A suurteholedeistä muodostuvalla kuormalla on yli 88 %, joten se tarjoaa paremmalla hyötysuhteella toimivan ratkaisun kuin tavanomaiset flyback-tyyppiset konvertterit, kun tehotaso on yli 60 W.

Koska molemmat ohjainasteet on integroitu samaan koteloon, muodostaa uusi IRS2548D ledivalaistuksen virtalähteen suunnittelutyötä helpottavan ja järjestelmäkustannuksia vähentävän ratkaisun, joka lisäksi säästää huomattavasti energiaa.

Uudella piirillä saavutetaan himmennys jopa alle 2 % valovoimakkuuteen. Suojaustoimintoihin sisältyy ohjelmoitava tehokertoimen korjaus, puolisillan ylivirtasuoja, lukkiutumisen esto sekä suojaus staattista purkausta vastaan. Piirissä IRS2548D on lisäksi muuttuvataajuinen oskillaattori, kiinteä sisäinen 1,6 µs kuollut aika, sisäinen bootstrap-mosfetti ja 15,6 V zener-lukkodiodi sekä käynnistys mikroteholla (250 μA).

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

VOFFSET(V)

VOUT  

IO+ & IO- (tyyp.)

t ON & t OFF (tyyp.)

Kuollut aika (tyyp.)

IRS2548D

SO-14

600

VCC

500mA/500mA

120nS/50nS

1,6 µs

Suunnittelutyökalut
Datalehti ja sovellusesimerkki löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Piirit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia. Lisäksi on saatavana mallikytkentä IRPLLED5, jossa käytetään piiriä IRS2548D.

International Rectifier

International Rectifier (NYSE:IRF) on tehonhallintatekniikan markkinoilla johtoasemassa koko maailmassa. IR:n analogiset ja sekasignaalipiirit, kehittyneet piiriratkaisut, integroidut tehojärjestelmät ja komponentit lisäävät tietokoneiden laskentatehoa ja vähentävät energiahukkaa moottoreissa, jotka muodostavat maailman suurimman yksittäisen sähkötehon kuluttajaryhmän.

Tietokoneiden, energiaa säästävien kodinkoneiden, valaisimien, autojen, satelliittien, lentokoneiden ja puolustuslaitteiden johtavat valmistajat luottavat IR:n tehonhallintatuotteisiin seuraavan sukupolven tuotteissaan.

siirry sivun alkuun


IR6866

(6.5.11) IR:n kaksikanavainen D-luokan audiovahvistimen ohjainpiiri IRS2052M takaa erinomaisen äänenlaadun entistä pienemmässä koossa

kaksikanavainen D-luokan audiovahvistimen ohjainpiiriInternational Rectifier on julkaissut korkealaatuisiin kotiteattereihin ja autojen audiovahvistimiin tarkoitetun kaksikanavaisen D-luokan vahvistinpiirin IRS2052M.

Uudessa 200 V vahvistinpiirissä on kaksi kanavaa integroituna samaan koteloon. Ominaisuuksia ovat mm. valittavissa oleva kuollut aika ja ohjelmoitava kaksisuuntainen ylivirtasuojaus, integroitu kello-oskillaattori sekä hiljainen käynnistys ja pysäytys.

“IR on jo osoittanut, että sen D-luokan audiovahvistimet, yksikanavainen IRS2092(S), 3-kanavainen IRS2053M sekä 4-kanavainen IRS2093M, ovat äänenlaadultaan yhtä hyviä kuin AB-luokan vahvistimet ja niillä on lisäetuna parempi hyötysuhde ja pienempi koko. Uusi vahvistin IRS2052M, jossa on kaksi kanavaa integroituna samaan koteloon, tarjoaa lisäksi mahdollisuuden rakentaa stereovahvistimia joustavasti ja helposti konfiguraatioina 2.1ch, 5.1ch tai 6ch,” sanoi IR:n energiansäästötuotteiden liiketoimintayksikön audiojärjestelmien suunnittelujohtaja Jun Honda. 
 
Piiri IRS2052M on optimoitu toimimaan yhdessä IR:n laajan 50…300 watin tehoisten audiomosfettien valikoiman kanssa. Se vähentää komponenttien lukumäärää ja säästää piirikorttitilaa sekä parantaa suorituskykyä vähentämällä harmonista säröä ja sähkömagneettisia häiriöitä.

Teknisiä tietoja

Tyyppi­
numero

Kotelo

Offset-jännite

Sink/sourcevirta

Vcc-alue (alijännite
­lukitus
käytössä)

Min/Max lähtöjännite

Etenemis­viive
TON/OFF

IRS2052M

MLPQ48

200 V~ ±100 V

0,6/0,5A

10…15V

10…15V

325/350 ns


Suunnittelutyökalut

Datalehti ja sovellusesimerkki löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Piirit ovat kosteusluokan MSL2 Industrial mukaisia ja RoHS-yhteensopivia. Lisäksi on saatavana mallikytkentä IRAUDAMP11, jossa käytetään piiriä IRS2052M.

siirry sivun alkuun


IR6867

(26.4.11) Uusi ajoneuvoluokan mosfettiperhe tarjoaa kestävän, kompaktin järjestelmäratkaisun

ajoneuvoluokiteltu mosfettiInternational Rectifier on julkaissut uuden, kestävän ajoneuvoluokitellun mosfettiperheen, joka soveltuu moneen käyttöön sekä polttomoottori- (ICE; Internal Combustion Engine) että hybridiajoneuvoissa.

Uusissa SO-8-koteloisissa mosfeteissa sovelletaan IR:n koettua planaaritekniikkaa.  Perheeseen kuuluu sekä N- että P-kanavaisia, yhteen koteloon integroituja mosfetteja ja ne tarjoavat kestävän, kompaktin systeemiratkaisun useamman lähdön tai puolisiltapiirin ohjaamiseen ajoneuvosovelluksissa, joissa tarvitaan tehokkaita mosfetteja sekä resistiivisten että induktiivisten kuormien syöttöön.

IR:n ajoneuvomosfetit testataan sekä dynaamisesti että staattisesti PAT-menetelmällä (Part Average Testing) ja lisäksi ne läpikäyvät sirutasoisen, automaattisen 100-prosenttisen visuaalisen tarkastuksen osana IR:n Zero Defect -laatuohjelmaa.

Mosfettien luokittelu on AEC-Q101-standardin mukainen ja niiden valmistusaineet ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.

Datalehdet ja luokittelustandardit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Spice-malli on saatavana pyynnöstä.

Teknisiä tietoja

Tyyppinumero

Kotelo

Hilaohjaus

V(BR)DSS (V)

RDS(ON) MAX. @ 10VGS (mΩ)

ID MAX @ TC = 25°C (A)

QG TYP. @ 10VGS (nC)

Yksi N-kanava

AUIRF7805Q

SO-8

Logiikka

30

11

13

22

Kaksi N-kanavaa

AUIRF7303Q

SO-8

Logiikka

30

50

4,9

25

AUIRF7103Q

SO-8

Logiikka

50

130

3,0

10

AUIRF7341Q

SO-8

Logiikka

55

50

5,1

29

Yksi P-kanava

AUIRF7207Q

SO-8

Logiikka

-20

60

-5,4

15

AUIRF7416Q

SO-8

Logiikka

-30

20

-10

61

 

 

 

 

 

 

 

Kaksi P-kanavaa

AUIRF7304Q

SO-8

Logiikka

-20

90

-4,3

22

AUIRF7316Q

SO-8

Logiikka

-30

58

-4,9

23

AUIRF7342Q

SO-8

Logiikka

-55

105

-3,4

26

N- ja P-kanavaiset mosfetit*

AUIRF7319Q

SO-8

Logiikka

30

29

6.5

22

AUIRF7379Q

SO-8

Logiikka

30

45

5.8

25

AUIRF7309Q

SO-8

Logiikka

30

50

4.0

25

AUIRF9952Q

SO-8

Logiikka

30

80

3.5

6.9

AUIRF7343Q

SO-8

Logiikka

55

95

4.7

24

*Sekä N- että P-kanavan sisältävien mosfettien kohdalla on annettu N-kanavaisen arvot. Lisätietoja P-kanavaisten kytkimien datalehdissä.siirry sivun alkuun

 


IR6864

(28.3.11) IR:n tehokertoimen korjauspiiriperhe tarjoaa sekä parannetun suojauksen että pienemmän laitekoon pienemmillä kustannuksilla

tehokertoimen korjauspiiriperheInternational Rectifier on julkaissut µPFC™-tyyppisen tehokertoimen korjauspiiriperheen IR115x, joka sisältää piirejä monenlaisiin AC-DC-sovelluksiin kuten valaistuksen, LCD/PDP-televisioiden sekä pelikonsoleiden hakkuriteholähteisiin, puhaltimiin, ilmastointilaitteisiin sekä UPS-laitteisiin tehoalueelle 300 W…8 kW.

Piireissä IR115x sovelletaan IR:n OCC-tekniikkaa (One Cycle Control) ja niiden avulla saadaan aikaan korkea tehokerroin (PF), alhainen harmoninen kokonaissärö (THD) sekä erinomainen DC-väylän regulointi. Samalla voidaan komponenttien lukumäärää, piirikortin pinta-alaa ja suunnitteluaikaa vähentää merkittävästi verrattuna perinteisiin ratkaisuihin. Piirisarja on suunniteltu toimimaan jatkuvasti johtamistilassa olevissa ns. Boost PFC  tyyppisissä konverttereissa, joissa on virran keskiarvo-ohjaus tulojännitealueella 85…264 VAC.

Koska piireissä IR115x on enemmän toimintoja kuin perinteisissä tehokertoimen korjausratkaisuissa, eikä niitä käytettäessä tarvita mitään ulkoisia rakenteita, ne vähentävät merkittävästi kokonaiskustannuksia tavanomaisiin ratkaisuihin verrattuna. Turvallisuus paranee silti, koska piirien suojausominaisuudet ovat erinomaiset.

Uusissa µPFC™-sarjan piireissä on kehittyneitä suojausominaisuuksia, kuten erillinen nasta ylijännitesuojausta varten, jakso kerrallaan toimiva huippuvirran rajoitus, avosilmukkasuojaus, syöttöjännitteen alijännitekatkaisu sekä ohjelmoitava pehmeäkäynnistys. Käyttäjän ohjaama mikrotehoinen käynnistys/lepotila täyttää energianhallintaratkaisujen Energy Star, Green Power ja Blue Angel vaatimukset. Piireillä IR1152S ja IR1153S on myös alijännitesuojaus.

Piirillä IR1155S on kuhunkin sovellukseen sopivaksi erityisesti ohjelmoitava hakkuritaajuus välillä 48…200 kHz. Piirien IR1152S ja IR1153S hakkuritaajuus on kiinteä, edellisellä 66 kHz, jälkimmäisellä 22,2 kHz. Nämä piirit ovat yhteensopivia IR:n Ultrafast- ja Warp-IGBT-transistorien kanssa yli 750 W sovelluksissa ja hakkuritaajuuksilla 100 kHz saakka.  

Kaikki piirit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia. Datalehdet, sovellustiedotteet ja online-suunnittelutyökalu ovat saatavissa International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com. Mallikytkennät IRAC1152-350W ja IRAC1155-300W ovat myös saatavana.

Tekniset tiedot

Tyyppi-numero

Kotelo

VCC-alue (V)

Suurin lähtövirta (A)

Hakkuri-taaajuus (kHz)

Ylijännite-suojaus

Alijännite-suojaus

IR1152S

8-nast. SOIC

14...17 V

± 0,75

66

Kaksinkert.

On

IR1153S

8-nast. SOIC

14...17 V

± 0,75

22,2

On

On

IR1155S

8-nast. SOIC

12...20 V

± 1,5

48...200

On

Ei

siirry sivun alkuun


IR6862

(21.3.11) IR:n 60 ampeerin IR3550 PowIRstage®-konvertterilla saavutetaan suurin virta pienimmästä kotelosta luokkansa parhaalla hyötysuhteella

60 ampeerin konvertteriUusi PowIRstage®-ratkaisu voittaa markkinoiden parhaat jopa 3 % paremmalla hyötysuhteella

International Rectifier on julkaissut uuden PowIRstage®-konvertteripiirin IR3550. Kyseessä on tämän perheen ensimmäinen kilpailevia ratkaisuja paremmalla hyötysuhteella ja termisellä suorituskyvyllä toimiva piiri. Sen jalanjälki on luokkansa pienin ja se yksinkertaistaa huomattavasti seuraavan sukupolven suorituskykyisten palvelin-, tallennus- ja kommunikaatiolaitteiden rakennetta.

60 A maksimivirralle tarkoitettu IR3550 helpottaa suurivirtaisten, suorituskykyisten monivaiheisten buck-regulaattorien suunnittelua ja käyttöä. Järjestelmäratkaisu auttaa vähentämään sekä suunnitteluvaiheita että kustannuksia verrattuna vaihtoehtoisiin ratkaisuihin.

Uudessa PowIRstage-ratkaisussa on tiheään, matalaan 6 x 6 x 0,9 mm PQFN-koteloon integroitu suorituskykyinen synkroninen hilaohjain, IR:n uusimman sukupolven ohjainpiiri, synkroninen mosfetti, jolla on äärimmäisen alhainen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) ja hilavaraus, sekä Schottky-diodi. Piirillä IR3550 saavutetaan parempi suorituskyky kuin tavanomaisilla tehoasteratkaisuilla. Sen hyötysuhde on kolme prosenttia aikaisempia parempi, mikä vähentää kokonaistehohäviötä ja järjestelmän lämmönkehitystä. Järjestelmässä ei siten tarvita monimutkaisia lämpötilan hallintamenetelmiä, jolloin kustannukset vähenevät ja luotettavuus paranee.

IR3550 on yhteensopiva useimpien markkinoilla nykyisin saatavana olevien analogisten ja digitaalisten säätimien kanssa, joten suunnittelija voi joustavasti valita haluamansa PWM-säätimen. PowIRstage®-ratkaisu puolestaan sisältää integroidun virrantunnistusvahvistimen, jonka ansiosta saavutetaan erinomainen tarkkuus ja kohinaluku tavanomaisiin tasavirtavastuksen tunnistusmenetelmiin (DCR; Direct Current Resistance) verrattuna. Lisäksi saadaan piirillä markkinoiden parhaat huippu- ja TDC-hyötysuhteet (Thermal Design Current), huippuhyötysuhteen ollessa parhaimmillaan 95 %. Piirin IR3550 korkean hakkuritaajuuden ansiosta voidaan käyttää pienoiskokoisia lähtöinduktoreita ja myös pienikokoiset tulo- ja lähtökondensaattorit auttavat pienentämään kokonaistilavuutta.

Piirin datalehti löytyy International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com ja tilauksesta on saatavana myös mallikortti ja sovellusesimerkki.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Kotelo

IOUT max

VIN

Huippuhyötysuhde

fsw

VOUT

IR3550

PQFN
6 x 6 x 0,9 mm

60 A

4,5…14 V

95 %
(12 VIN, 1,2 VOUT, 300 kHz)

1000kHz

0,25…3,3 V

siirry sivun alkuun


IR6859

(16.3.11) IR julkaisee helppokäyttöisen ja monipuolisen, energiatehokkaisiin tietokoneisiin ja kuluttajasovelluksiin tarkoitetun skaalattavan SupIRBuck™-regulaattoriperheen

International Rectifier skaalattava SupIRBuck regulaattoriperheInternational Rectifier on laajentanut integroitujen, SupIRBuck™-tyyppisten kuormapisteen (POL) jänniteregulaattoriensa perhettä. Uusissa, energiatehokkaisiin tietokoneisiin ja kuluttajasovelluksiin tarkoitetuissa regulaattoripiireissä IR347x ja IR386x on hystereettiset COT-tyyppiset (constant on-time) modulaattorit ja adaptiivinen kuolleen ajan ohjaus, joiden avulla saavutetaan erinomainen hyötysuhde sekä kevyellä että täydellä kuormalla.

Piirien IR347x ja IR386x SupIRBuckTM -perhe, johon on integroitu matalaan 4 x 5 mm koteloon tai 5 x 6 mm PQFN-koteloon sijoitetut optimoidut tehomosfetit, sisältää myös 1 % tarkkuudella toimivan 0,5 V sisäisen referenssijännitteen, joka mahdollistaa tarkan lähtöjännitteen ohjelmoitavuuden. Piireissä on myös useita toimintoja, kuten ylilämpötilasuoja, termisesti kompensoitu ylivirtasuoja, yli- ja alijännitesuoja, pre-bias-käynnistys, power good -lähtö sekä jännitemonitorointiin kykenevä enable-tulo.  

Helppokäyttöisyytensä, skaalattavuutensa ja hyvän hyötysuhteensa ansiosta on IR:n uusi COT SupIRBuck -perhe ihanteellinen sekä akun virrankulutusta säästäviin että ENERGY STAR -ohjeiden mukaisiin sovelluksiin.

Piiriperhe IR347x toimii tulojännitteillä aina 27 V saakka. Se on saatavana sekä 4 x 5 mm että 5 x 6 mm PQFN-kotelossa ja se kattaa laajan kuormavirta-alueen 6…15 A, joten se on helposti skaalattavissa erilaisia hinta- ja suorituskykyvaatimuksia silmälläpitäen. Näiden vaihtoehtojen ja hyvän hyötysuhteen ansiosta kevyellä kuormalla on IR347x erinomainen valinta esimerkiksi sylitietokoneiden ja vastaavien laitteiden tehokonversioon. Muita IR347x-perheen käyttömahdollisuuksia löytyy keveiden 24 V kiskosta toimivien sekä akkukäyttöisten sovellusten joukosta.

4x5 mm PQFN-koteloiset piirit IR3863 ja IR3865 on optimoitu 12 V tulojännitteisiin sovelluksiin, kuten vasta julkaistua toisen sukupolven Intel CoreTM -prosessoriperhettä hyödyntäviin sylitietokoneisiin. Lisäksi sopivat uudet SupIRBuck-piirit DC-DC-kuluttajasovelluksiin, kuten tulostimiin, LCD-televisioihin sekä pelikonsoleihin.

Datalehdet löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com. Uusia piirejä käyttävät SupIRBuck™-mallikytkennät IRDC3473, IRDC3475, IRDC3476, IRDC3477, IRDC3863 sekä IRDC3865 ovat myös saatavana.

Teknisiä tietoja

Tyyppi-numero

Iout Max
(A)

Kotelo

Vin-alue
(V)

Vout
(V)

Hakkuri-taajuus-alue
(kHz)

Ominaisuuksia

IR3473

6

4 x 5 mm QFN

3 - 27

0.5 - 12

750 kHz saakka

0,5V Ref, 1% tarkkuus, Pre-Bias-käynnistys, lämpötilasuojaus, termisesti kompensoidut ylivirta-, lämpötila- ja ylijännitesuojaukset,  PGOOD, Enable

IR3475

10

IR3476

12

5 x 6 mm QFN

IR3477

15

IR3863

6

4 x 5 mm QFN

3 - 21

IR3865

10

siirry sivun alkuun


(3.3.11) International Rectifier Acquires CHiL Semiconductor, a Leading Supplier of Digital Power Management Solutions

 
International Rectifier Corporation (IR) (NYSE: IRF) announced today that it has signed a definitive agreement to acquire privately held CHiL Semiconductor Corporation (CHiL) for $75 million in cash, subject to working capital adjustments. The acquisition expands IR’s technology by adding a leading digital power management platform that improves energy efficiency in a wide variety of applications, including computing systems, graphics, servers and gaming.

CHiL uses patented digital techniques in combination with mixed signal technology to deliver high performance multi-phase power solutions that saves energy.  The open architecture approach to digital control, where customers can tailor power systems for cost and performance goals, enables significant board space and bill-of-materials reduction, integrating many analog features into the digital core of the technology.

“The addition of CHiL’s technology and expertise to our broad portfolio of industry leading products such as DirectFET™, PowIRstage™ and SupIRBuck™, offers IR’s customers a unique value proposition by providing a high performance, cost effective, complete end-to-end integrated solution,” stated Tim Phillips, Vice President and General Manager, Enterprise Power Business Unit of IR.  “Digital power management is entering a rapid adoption phase and the addition of CHiL’s technology strengthens IR’s market position to capitalize on this growth opportunity.

“The acquisition is the next logical step after our successful strategic product relationship with CHiL during the past year and will augment IR’s talent base by adding an experienced digital power design and applications engineering team,” concluded Mr. Phillips.

“The increased focus on energy efficient products over the next decade is expected to drive an expanding use of digital power management in applications such as DC-DC converters, AC-DC converters, lighting, inverters and Class-D audio systems,” stated Vishwas Karve, Vice President, Strategy and Business Development of IR.  “The acquisition of CHiL expands IR’s presence immediately in the high performance computing and graphics segments, over the medium-term in the server, storage and notebook end markets and longer-term across the Company’s other vertical end market segments including Energy-Savings Products, Automotive Products and HiRel business units.”

“IR’s focus on power management solutions and energy efficiency make it an ideal partner for our customers and employees,” stated Ram Sudireddy, Chief Executive Officer of CHiL Semiconductor.  “As digital power management continues to expand, the combined technology of IR and CHiL can create a higher performance and lower cost solution enabling end users to create more energy efficient solutions.  To date, CHiL has secured a significant number of design-wins across a wide spectrum of graphics, high performance computing and server platforms that IR can help grow.”

The transaction is expected to close in the first calendar quarter of 2011. The acquisition, which initially adds approximately $3 million of additional operating expenses per quarter, is expected to be accretive to IR’s earnings per share in the company’s 2012 fiscal year.   siirry sivun alkuun


IR6856

(15.2.11) IR:n uusi, hakkuriteholähteisiin tarkoitettu DirectFET®plus tehomosfettiperhe parantaa hyötysuhdetta jopa 2 %

hakkuriteholähteisiin tarkoitettu DirectFet plus tehomosfettiInternational Rectifier on julkaissut DirectFET®plus-tehomosfettiperheen, jonka uusi sirusukupolvi luo kokonaan uuden hyötysuhdestandardin 12 V tulojännitteisten, seuraavan sukupolven palvelin-, pöytä- ja muistikirjakoneiden synkronisiin buck-konvertterisovelluksiin.

Uuden DirectFET®plus -perheen kahden ensimmäisen jäsenen, IRF6811 ja IRF6894, päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) ja hilavaraus (Qg) ovat edellisen sukupolven piireihin verrattuna niin paljon pienempiä, että hyötysuhde nousee merkittävästi, jopa 2 %. Lisäksi on uusien mosfettien hilaresistanssi (Rg) ultrapieni, mikä parantaa hyötysuhdetta edelleen vähentämällä tasavirtakonvertterien kytkentähäviöitä.
Uudessa sirusarjassa IRF6811 ja IRF6894 hyödynnetään IR:n DirectFET®-kotelointitekniikkaa ja uutta piisukupolvea, joka optimoimalla mosfettien avainparametrit antaa tulokseksi luokkansa parhaan suorituskyvyn, erinomaisen luotettavuuden sekä seuraavan sukupolven laitteissa vaadittavan pienen jalanjäljen.

Ohjainmosfetti IRF6811 on saatavana Small Can -kotelossa, kun taas synkronimosfetti IRF6894 toimitetaan Medium Can -kokoisessa kotelossa. Uudessa 25 V DirectFET®plus piiriparissa yhdistyvät markkinoiden parhaat RDS(on)- ja Rg-arvot sekä lisäksi alhainen hilavaraus, joten johtumis- ja kytkentähäviöt ovat minimissään. Piirissä IRF6894 on myös monoliittisesti integroitu Schottky-diodi, joka vähentää runkodiodin johtamiseen ja vastasuunnan elpymiseen liittyviä häviöitä. Uusien DirectFET®plus-mosfettien jalanjälki on yhteensopiva edellisen sukupolven piirien kanssa.

Datalehdet ja sovellusesimerkit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com.

Tärkeimmät tekniset tiedot

Tyyppinumero

BVDSS (V)

RDS(on) typ @10V (mW)

RDS(on) typ @4.5V (mW)

VGS (V)

QG typ (nC)

QGD typ  (nC)

Kotelon koodi

IRF6811SPBF

25

2,8

4,1

± 16

11

4,2

SQ

IRF6894MPBF

25

0,9

1,3

± 16

29

10

MX

siirry sivun alkuun