IR parhaat päältä tuotevalikoima-katsausTuotepäällikkö:
|
International Rectifier
International Rectifier (IR) – on Yhdysvalloissa vuonna 1947 perustettu puolijohdevalmistaja. IR’n edustajana Suomessa on yhtäjaksoisesti vuodesta 1956 alkaen toiminut Oy Flinkenberg Ab.
IR:n kehittämät tuotteet mahdollistavat älykkäämmin ja viileämpinä toimivat tuotteet jotka parantavat energia-taloudellisuutta.
Maailman nopeimmin kasvava teollisuusala, elektroniikkateollisuus, ja maailmanlaajuisesti jatkuvasti lisääntyvä tehoelektroniikan tarve, tekee IR’n omistautumisesta alalle yhä arvokkaamman.
IR:n tuotteet vastaavat tehonsyötöstä seuraavan sukupolven tietokoneissa, autoissa, satelliiteissa sekä kodinkoneissa. Samalla asetetaan tehoelektroniikan suorituskyvyn ja mekaniikan standardit, koko tuotevalikoimalle, jotka johtavat tekniseen etumatkaan muihin valmistajiin nähden;
- IR’n teknologia tekee sähkömoottorien nopeus-säädöstä käytännöllisen ja kannattavan, aina kuljetinhihnoista, pesukoneisiin.
- IR’n tuotteiden ansiosta sylimikrojen käyttöaika pitenee.
- Autojen suorituskyky paranee ja polttoaine taloudellisuus kasvaa, elektronisella ohjauksella ja muilla siihen liittyvillä edistyksellisillä ratkaisuilla.
- IR on toiminut teknisenä uranuurtajana jolla on monta keskeistä patenttia liittyen teknologioihin jotka muodostavat nykyisen teho MOSFET teollisuuden.
- IR keskittyy yksinomaan tehosiruihin ja järjestelmiin, ja kehittää ainutlaatuisia tuotteita jotka tuovat lisäarvoa asiakkaiden lopputuotteisiin.
- Suurvolyymituotantoon keskittyneet tehtaat asettavat tämän alan kustannusten tavoitetasot.
- Tuotekehitykseen panostetaan voimakkaasti, ja tuloksena syntyy jatkuvasti erikoistuotteita jotka ovat kohdennettu nopeasti kasvaviin sovellusalueisiin.
International Rectifier toimittaa teho elektroniikan suurelle määrälle teollisuusaloja, kuten, autoteollisuuteen, kulutustuotteisiin, tietokone/oheislaitteisiin, valaistukseen, puhelimiin sekä sotilas/avaruus-sovelluksiin. IR kehittää ja valmistaa ratkaisuja koko tehonhallinta prosessiin, muuntaen karkean sähkönverkon sähkön, puhtaaksi lopputuotteessa käyttökelpoiseksi sähköksi.
Sisältäen:
- Ohjausyksiköt kuten kytkinohjaimet, MOS Gate ohjaimet ja älykkäät teho kytkimet jotka säätävät tehonmuunnos prosessia.
- Kytkentäyksiköt kuten MOSFET ja IGBT transistorit joita käytetään kytkemään sähköinen kuorma päälle ja pois.
- Jakeluyksiköt kuten MOSFET transistorit ja Mikroelektroniset releet jotka jakavat sähköenergiaa kuormalle tai sähkökojeelle.
- Integroidut Ratkaisut kuten analogiset IC piirit, edistykselliset ohjainpiirit ja teho järjestelmät jotka optimoivat kytkennän kokonais-suorituskykyä, tarjoten lisäarvoa kohdesovellukseen.
International Rectifier uutiset
IR6811A
(2.3.10) IR julkaisee markkinoiden ensimmäiset kaupalliset GaN-pohjaiset integroidut tehoastepiirit iP2010 ja iP2011
Piireissä sovelletaan IR:n käänteentekevää GaN-pohjaista alustaa GaNpowIR™
Johtava tehonhallintatekniikan asiantuntija International Rectifier, IR® (NYSE: IRF), on tänään julkaissut markkinoiden ensimmäiset kaupalliset integroidut tehoastepiirit, joissa sovelletaan IR:n käänteentekevää galliumnitridipohjaista (GaN) tehoastealustaa. Piiriperheet iP2010 ja iP2011 on tarkoitettu monivaiheisiin ja kuormapistesovelluksiin (POL), kuten palvelinkoneisiin, reitittimin, kytkimiin sekä yleiskäyttöisiin kuormapisteen DC-DC-muuntimiin.
Piireihin iP2010 ja iP2011 on integroitu erittäin kehittynyt, ultranopea PowIRtuneTM-ohjainpiiri sovitettuna monikytkimiseen monoliittiseen GaN-pohjaiseen tehoasteeseen. Piirit on asennettu ’flip chip’-tyyppiselle alustalle, joten niiden hyötysuhde on suurempi ja kytkentätaajuus yli kaksinkertainen verrattuna tavanomaisiin piipohjaisiin integroituihin tehoastepiireihin.
“Näiden GaN-pohjaisten, DC-DC-muuntimiin tarkoitettujen tehopiirien julkaiseminen merkitsee uutta ajanjaksoa suurtaajuisten, tiheiden ja hyvällä hyötysuhteella toimivien tehomuunninsovellusten kehityksessä ja varmistaa samalla IR:n aseman innovatiivisten tehonhallintalaitteiden suunnittelussa”, sanoi IR:n POL-tuotteiden Enterprise Power Business -yksikön toimitusjohtaja Goran Stojcic.
POL-tuotteiden tuotepäällikkö John Lambert lisäsi: “Hakkuritaajuuden nosto jopa 5 MHz:iin pienentää lähtökondensaattorien ja -induktorien kokoa huomattavasti, mikä on tärkeää, kun tilaa on käytettävissä vähän. Piirit voivat myös toimia matalammalla hakkuritaajuudella sovelluksissa, joissa vaaditaan mahdollisimman hyvää hyötysuhdetta.”
Piirin iP2010 tulojännite on alueella 7…13,2 V lähtöjännitealueen ollessa 0,6…5,5 V lähtövirralle 30 A saakka. Suurin hakkuritaajuus on 3 MHz. Tarvittaessa korkeampaa taajuutta, jopa 5 MHz, voidaan käyttää nastayhteensopivaa piiriä iP2011, jonka jännitealueet ovat samat, mutta optimaalinen lähtövirta on 20 A. IR pystyy vastaamaan asiakkaittensa erilaisiin virta-, suorituskyky- ja kustannusvaatimuksiin tarjoamalla joustavasti piirejä, joiden maksimivirrat ovat erilaisia mutta jalanjälki sama.
Molemmat uudet piirit toimitetaan pienikokoisessa LGA-kotelossa. Niiden tehohäviö on hyvin pieni, kaksipuolinen jäähdytys erittäin tehokas ja ne ovat RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja, iP2010
Tyyppinumero |
Kotelo |
Tulojännitealue |
Lähtöjännitealue (V) |
Iout max |
Hakkuri- taajuusalue |
iP2010TRPBF |
7,7 x 6,5 mm LGA |
7…13,2 |
0,6…5,5 |
30 |
250…3.000 |
Teknisiä tietoja, iP2011
Tyyppinumero |
Kotelo |
Tulojännitealue |
Lähtöjännitealue (V) |
Iout max |
Hakkuri-taajuusalue |
iP2011TRPBF |
7,7 x 6,5 mm LGA |
7…13,2 |
0,6…5,5 |
20 |
250…5,000 |
GaNpowIR™
GaNpowIR on käänteentekevä galliumnitridipohjainen (GaN) tehokomponenttitekniikka, jonka avulla asiakkaat voivat parantaa sovelluskohtaisia hyvyyslukuja (figure of merit; FOM) jopa kymmenkertaisiksi verrattuna tavanomaisiin piipohjaisiin laitteisiin, mikä parantaa dramaattisesti suorituskykyä ja vähentää energian kulutusta monilla eri aloilla, kuten tietokoneissa ja tietoliikenteessä, autotekniikassa ja kodinkoneissa. Uraauurtava GaN-pohjainen tehopiirialusta on IR:n viiden vuoden tutkimus- ja kehitystyön tulos. Se perustuu yhtiön patentoimaan ’GaN-on-silicon’-epitaksiaalitekniikkaan. Tällä tekniikalla toteutettu uusi 150 mm epitaksiaalipiiri sekä IR:n kustannustehokkaan piiprosessin kanssa yhteensopiva valmistustekniikka tarjoavat asiakkaille tehokkaan kaupallisen alustan GaN-pohjaisille tehopiireille. Lisätietoa on saatavana IR:n verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/product-info/ganpowir/. 
IR6792A
(1.3.10) IR julkaisee 20, 25 ja 30 voltin PQFN-koteloidut mosfetit ORing- ja moottorinohjaussovelluksiin
Piirillä IRFH6200TRPbF on markkinoiden pienin päästösuunnan resistanssi
International Rectifier on julkaissut HEXFET®-tehomosfettiperheen, johon kuuluu mm. markkinoiden alhaisimman päästösuunnan resistanssin (RDS(on)) omaava piiri IRFH6200TRPbF.
Uudet, IR:n uusimmalla piitekniikalla valmistetut tehomosfetit ovat yhtiön ensimmäiset, 5 x 6 mm PQFN-koteloiset komponentit. Päästösuunnan resistanssi 20 voltin mosfetilla IRFH6200TRPbF on markkinoiden alhaisin, vain 1,2 mOhm (max) Vgs-jännitteellä 4,5 V, mikä vähentää merkittävästi johtumishäviöitä tasavirtamoottorien ohjauksissa, esimerkiksi käsityökalukoneissa.
“Pitkän perinteensä ja jatkuvan sitoutumisensa ansiosta mosfettitekniikkaan pystyy IR jatkuvasti tuomaan markkinoille uusia suorituskykyisiä mosfettiperheitä, kuten tämä viimeisin, jossa yhdistyvät uusimman sukupolven piitekniikka ja PQFN-kotelointi. Tuloksena on piiriperhe, jolla on markkinoiden alhaisin RDS(on)-arvo,” sanoi IR:n tehonhallintakomponenttien liiketoimintayksikön apulaisjohtaja Doug Russell. “Vastauksena asiakkaittemme tarpeeseen on on suunnitelmissamme laajentaa edelleen PQFN-koteloitujen mosfettien valikoimaa lähikuukausien aikana”, hän lisäsi.
Mosfetit 25V IRFH5250TRPbF ja 30V IRFH53xxTRPbF on tarkoitettu suuren virran kestäviin tasavirtakytkinsovelluksiin, kuten aktiiviset ORing-piirit sekä moottorinohjaukset, joissa vaaditaan hyvää hyötysuhdetta. IRFH5250TRPbF:n suurin RDS(on)-arvo on vain 1,15 mOhm ja hilavaraus (Qg) vain 52 nC. Mosfetin IRFH5300TRPbF vastaavat arvot ovat 1,4 mOhm ja 50 nC.
Erinomaisen termisen suorituskyvyn lisäksi on mosfettien IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF ja IRFH53xxTRPbF etuina pienemmät korttitilan tarve ja kustannukset kuin tavanomaisia ratkaisuja käytettäessä, koska samaa tehohäviötä kohti kuluu vähemmän komponentteja.
Kaikilla näillä mosfeteilla on alhainen terminen resistanssi (<0.5°C/W), MSL1-luokan mukainen kosteussuojaus ja ne ovat RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja, IRFH6200TRPbF
Tyyppinumero |
Kotelo |
Jännite |
Vgs Max |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Rdson max @ Vgs=2.5 |
Id @ Tc=25 |
IRFH6200TRPbF |
PQFN |
20 V |
±12 V |
1,2 mW |
1,4 mW |
100 A |
Teknisiä tietoja, IRFH5250TRPbF ja IRFH53xxTRPbF
Tyyppinumero |
Kotelo |
Jännite |
Rdson max @ Vgs=10 |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Qg typ @ Vgs=4.5 |
Id @ Tc=25 |
IRFH5250TRPbF |
PQFN 5x6 mm |
25 V |
1,15 mW |
1,7 mW |
52 nC |
100 A |
IRFH5300TRPbF |
PQFN 5x6 mm |
30 V |
1,4 mW |
2,1 mW |
50 nC |
100 A |
IRFH5301TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1,85 mW |
2,9 mW |
37 nC |
100 A |
IRFH5302TRPbF |
PQFN 5x6 mm |
30 V |
2,1 mW |
3,5 mW |
29 nC |
100 A |
Datalehdet ja sovellusesimerkit ovat saatavana IR:n verkkosivuilla osoitteessa: http://www.irf.com. Tuotantomääriä on heti saatavana. Hinnat voivat muuttua.
IR6809
(26.1.10) IR:n DirectFET®2 -tehomosfetit takaavat poikkeuksellisen tehotiheyden ja suorituskyvyn autokäytössä
Johtava tehonhallintatekniikan asiantuntija International Rectifier on tänään julkaissut autokäyttöön tarkoitetut DirectFET®2 -tehomosfetit AUIRF7739L2 ja AUIRF7665S2, joita käyttämällä saavutetaan poikkeuksellinen tehotiheys, kaksipuolinen jäähdytys sekä alhainen loisinduktanssi ja resistanssi tukevassa, luotettavassa AEC-Q101-luokitellussa kotelossa.
Nämä IR:n ensimmäiset autokäyttöön tarkoitetut DirectFET2-mosfetit ovat täysin lyijyttömiä ja ne merkitsevät koko- ja hintasäästöjä järjestelmätasolla samalla, kun niiden suorituskyky ja hyötysuhde ovat huomattavasti paremmat kuin mitä perinteisillä muovikoteloisilla komponenteilla voi saavuttaa.
“Mosfeteissa AUIRF7739L2 ja AUIRF7665S2 yhdistyvät koetun DirectFET-kotelotekniikan luotettavuus ja suorituskyky IR:n uusimpaan trench-tekniikkaan. Uudet DirectFET2-mosfetit voidaan seuraavan sukupolven ajoneuvoalustasovelluksissa optimoida ultra-alhaisen päästösuunnan resistanssin (RDS(on)), hilavarauksen (Qg) tai logiikkatasoisen toiminnan suhteen siten, että suorituskyky ja hyötysuhde paranevat dramaattisesti samalla kun mekaaninen koko ja osien lukumäärä pienenevät,” sanoi ajoneuvotuotteiden liiketoimintayksikön tuotepäällikkö Benjamin Jackson.
Uuden, suureen koteloon asennetun AUIRF7739L2:n päästösuunnan resistanssi RDS(on) on markkinoiden alhaisin, tyypillisesti vain 0,7 mOhm jännitteellä 40 V. Lisäksi ovat kotelon jalanjälki 60 % ja korkeus 85 % pienemmät kuin D2PAK-kotelolla. Tehotiheys ja hyötysuhde ovat poikkeuksellisen suuret, joten uusi mosfetti sopii hyvin raskaasti kuormitettuihin moottorinohjaussovelluksiin, kuten sähköinen ohjauksen tehostus (EPS; Electic Power Steering), akkukytkimet, hybridiajoneuvojen integroidut käynnistysmoottorigeneraattorit (ISA; Integrated Starter Alternators) sekä voimansiirtojärjestelmät.
Pienemmässä kotelossa oleva AUIRF7665S2 on optimoitu hyvin alhaisen hilavarauksen suhteen ja sen loisvärähtely on äärimmäisen vähäistä, joten kytkentä on nopeaa ja tehokasta. DirectFET2-mosfetti sopii ihanteellisesti hakkurisovelluksiin ajoneuvoissa, kuten D-luokan audiovahvistimien pääteasteisiin sekä DC-DC-muuntimiin ja polttoaineen ruiskutusjärjestelmiin.
Molemmat mosfetit ovat AEC-Q101-standardien mukaisia, ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia. Ne ovat mukana IR:n laatuprojektissa, jonka tavoitteena on ’zero defects’, ei vikoja.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Vds |
Rds(on) typ |
Rds(on) max |
Qg (typ) |
AUIRF7739L2 |
DF2 L can |
40 V |
0,7 mOhm |
1 mOhm |
220 nC |
AUIRF7665S2 |
DF2 S Can |
100 V |
51 mOhm |
62 mOhm |
8,3 nC |
Datalehdet, sovellusesimerkit, simulointityökalut ja laatustandardit löytyvät International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com
IR6796A
(26.1.10) IR:n integroitu jänniteregulaattoripiiri IR3870M SupIRBuck™ helpottaa suunnittelua ja maksimoi hyötysuhteen DC-DC-virtalähdesovelluksissa
International Rectifier on julkaissut integroidun jänniteregulaattoripiirin IR3870M SupIRBuck™, joka on tarkoitettu muistikirja- ja pöytämikroihin, pelikonsoleihin, erilaisiin kuluttajaelektroniikan laitteisiin kuten digibokseihin sekä yleiskäyttöisiin kuormapisteen DC-DC-muuntimiin.
Piirissä IR3870M on hystereettinen constant on-time -tyyppinen modulaattori, jossa on adaptiivinen kuolleen ajan ohjaus sekä johtavan tilan resistanssiin (RDS(on)) perustuva virranmittaus. Näin saavutetaan maksimihyötysuhde muistikirjamikroissa. IR3870M pystyy syöttämään jopa 10 A virran ympäristön lämpötilan ollessa 60 °C. Piirissä on hyötysuhdetta kevyellä kuormalla parantava diodiemulaatio. Siinä on myös latauspumppulähtö (CPO; charge pump output), joka parantaa mosfetin hilaohjauksen hyötysuhdetta keskisuurella ja täydellä kuormalla. Lisäksi on piirin IR3870M tulojännitealue laaja 3…26 V ja piiri voidaan ohjelmoida ulkopuolisen vastusverkon avulla lähtöjännitealueelle 0,5…12 V.
Piirin IR3870M ominaisuuksia ovat käynnistyminen jännitteisellä kuormalla, hyvin tarkka 0,5 V referenssijännite, yli- ja alijännitesulku, power good -lähtö sekä jännitteen valvontaan pystyvä enable-tulo. Piirissä on myös constant on-time-tyyppinen ohjaus, ohjelmoitava hakkuritaajuus, pehmeäkäynnistys sekä ylivirtasuojaus.
Näihin innovatiivisiin, laajalla tulojännitealueella toimiviin yksilähtöisiin SupIRBuck-jänniteregulaattoreihin on integroitu IR:n suorituskykyiset, HEXFET® -mosfeteilla varustetut ohjauspiirit ja ne on asennettu 5 x 6 mm kokoisiin, vain 0,9 mm korkeisiin QFN-koteloihin. Ainutlaatuisen, skaalautuvan jalanjäljen ansiosta ovat SupIRBuck-piirit helppoja sovittaa joustaviin, kompakteihin, suorituskykyisiin ja kustannustehokkaisiin POL-virtalähderatkaisuihin.
Sama, monipuolinen ohjainpiiri, jota käytetään regulaattoripiirissä IR3870M, on myös saatavana erillispiirinä IR3710M. Sen ja kahden erillisen mosfetin avulla voivat piiriä IR3870 käyttävät suunnittelijat helposti skaalata laitteensa jopa 24 A kuormavirralle.
Sekä IR3870M että IR3710 ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja, IR3870MPbF
Tyyppi-numero |
Kotelo |
Vin alue (V) |
Vout alue(V) |
Iout max |
Hakkuritaajuusalue |
Ominaisuuksia |
IR3870MPbF |
5 x 6 mm QFN |
3…26 |
0,5…12 |
10 |
max. 1 Mhz |
1% tarkkuus, OCP, OVP, UVP, SS, PGOOD, latauspumppu-mahdollisuus |
Teknisiä tietoja, IR3710MPbF
Tyyppinumero |
Kotelo |
Vin alue (V) |
Vout alue(V) |
Hakkuritaajuusalue |
Ominaisuuksia |
IR3710MPBF |
16L 3x3 mm MLPQ |
3…28 |
0,5…12 |
max. 1MHz |
1% tarkkuus, OCP, OVP, UVP, SS, PGOOD, FCCM, latauspumppu-mahdollisuus |
Suunnittelutuki
Datalehdet ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa http://www.irf.com. Piirin IR3870M sisältävä mallikytkentäsarja IRDC3870 on saatavana, samoin kuin sarjat IRDC3710-DF ja IRDC3710-QFN, joihin sisältyvät DirectFET®-mosfetit ja QFN-mosfetit.
IR6780
(26.1.10) IR julkaisee kestävät, älykkäät tehokytkimet AUIPS7121R ja AUIPS7141R vaativiin 24 V ajoneuvoympäristöihin
International Rectifier on julkaissut älykkäät 65V yläpuolen tehokytkimet (IPS; Intelligent Power Switches) AUIPS7121R ja AUIPS7141R, joissa on tarkka virrantunnistus ja sisäiset suojapiirit. Kytkimet on tarkoitettu vaativiin 24 V ajoneuvoympäristöihin, kuten konepellin alle asennettuihin liitäntäkoteloihin.
Kytkimissä AUIPS7121R ja AUIPS7141R on täydellinen valikoima suojausominaisuuksia, jotka takaavat turvallisen, luotettavan kytkennän. Uusien kytkimien ylivirta- ja ylilämpötilakatkaisu sekä aktiivinen lukitustoiminto lisäävät myös toiminnan turvallisuutta sekä suojaa myös toistuvissa oikosulkutapauksissa.
Suunnittelijoiden ongelmana ovat kuorma-autojen liitäntäkotelot, joiden on täytettävä uudet, ankarat suorituskykyvaatimukset oikosulkutapauksissa. Suojausominaisuuksiensa ansiosta kestää AUIPS71xx-piiriperhe useita miljoonia jaksoittaisia oikosulkuja pitkän ajan kuluessa, joten se muodostaa kestävän, luotettavan ratkaisun esimerkiksi ankarissa ajoneuvo-olosuhteissa toimivia, konepellin alle asennettavia 24 V liitäntäkoteloita varten.
Lukuisien suojausominaisuuksien lisäksi on AUIPS71xx-piiriperheessä koko toimintalämpötila-alueella ± 5 % tarkkuudella toimiva virtatakaisinkytkentä ja kytkentäajat on optimoitu häiriösäteilyn minimoimiseksi herkissä ajoneuvosovelluksissa.
Piirit ovat AEC-Q100-standardien mukaisia, lyijyttömiä, RoHS-yhteensopivia ja ne ovat mukana IR:n laatuprojektissa, jonka tavoitteena on ’zero defects’, ei vikoja.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Rdson (max. @ 25°C) |
Ylivirtakatkaisu (min.) |
TJ |
Lukko-jännite |
Virran tunnistus-suhde |
OC/OT Suojaus-tapa |
AUIPS7121R |
DPAK |
30 mohm |
50 A |
165 °C |
65 V |
7050:1 |
sulku |
AUIPS7141R |
DPAK |
100 mohm |
20 A |
165 °C |
65 V |
2000:1 |
sulku |
IR6798A
(12.11.09) Erinomainen luotettavuus ja terminen suorituskyky autokäyttöön hyväksytyllä, juotettavalla IGBT-transistorilla
International Rectifier on julkaissut sähkö- ja hybridiautojen suurivirtaisiin ja -jännitteisiin invertterimoduuleihin sekä tehonsyöttölaitteisiin tarkoitetun 1200 V IGBT-transistorin AUIRG7CH80K6B-M. Transistori on toteutettu SFM-menetelmällä (Solderable Front Metal).
Transistorissa AUIRG7CH80K6B-M sovelletaan IR:n uusimman sukupolven ’field stop trench’ tekniikkaa, joka vähentää huomattavasti johtumis- ja kytkentähäviöitä. Lisäksi on termistä suorituskykyä parannettu juotettavalla metallipinnalla, joka sallii kaksipuolisen jäähdytyksen. Samalla päästään eroon lankaliitoksista, joten luotettavuus paranee.
Lankaliitokset ovat perinteisesti autojen invertterimoduulien potentiaalinen vikojen syy. Transistori AUIRG7CH80K6B-M juotettavine metallipintoineen sallii asennuksen ilman lankaliitoksia, mikä yhdessä kaksipuolisen jäähdytyksen kanssa parantaa termistä suorituskykyä ja hyötysuhdetta sekä lisää invertterimoduulien luotettavuutta.
Muita tärkeitä suorituskykyä parantavia ominaisuuksia ovat neliömäinen RBSOA-alue (reverse bias safe operating area), korkein toimintalämpötila jopa 175 °C, suuri katkaisukyky, positiivinen VCE(on)-jännitteen lämpötilakerroin sekä 6 mikrosekunnin oikosulkukesto. Transistori AUIRG7CH80K6B-M on saatavana vain siruna.
Uusi transistori on autoteollisuuden standardien mukainen ja se on mukana IR:n laatuprojektissa, jonka tavoitteena on ’zero defects’, ei vikoja. Tuotantomäärät ovat heti saatavana.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Jännite |
Maksimivirta |
VCE(ON) max @VGE=15V, TJ=25C |
Tj max |
AUIRG7CH80K6B-M |
Siru, SFM |
1200 V |
200A * |
2,45 V |
175 C |
* riippuu jäähdytystavasta
IR6793
(12.11.09) Älykkäät 75 V alapuolen tehokytkimet vaativiin 24 V ajoneuvosovelluksiin
International Rectifier on julkaissut vaativiin 24 voltin ajoneuvoympäristöihin, kuten kuorma-autojen liitäntäkoteloihin tarkoitetut älykkäät 75 voltin alapuolen tehokytkimet (IPS; Intelligent Power Switches) AUIPS2051L ja AUIPS2052G.
Kytkinpiireissä AUIPS2051L ja AUIPS2052G on 70 V aktiivinen lukitus sekä täydelliset suojausominaisuudet. Niiden virta katkeaa ylivirta- ja ylikuumenemistilanteissa ja ne käynnistyvät uudelleen, kun virransyöttö katkaistaan hetkeksi. Diagnostiikkatieto saadaan tulonastaan kytketyn sarjavastuksen avulla. Piiriperheessä AUIPS205x sovelletaan IR:n 75 voltin tekniikkaa, joten piirit sopivat hyvin kaikkiin 24 V ajoneuvosovelluksiin, kuten solenoidiohjauksiin sekä korvaamaan sähkömekaanisia releitä.
Nykyaikaisten liitäntäkoteloiden ankarat vaatimukset edellyttävät, että uudet 75 voltin piirit pystyvät toimimaan pitkään luotettavasti huolimatta toistuvista oikosulkutilanteista.
Piiri AUIPS2052G on kaksikanavainen, kun taas AUIPS2051L on yksikanavainen.
Kytkentä- ja katkaisuajat on optimoitu sähkömagneettisten häiriöiden minimoimiseksi. Molemmissa piireissä on lisäksi purkaussuoja sekä pienivirtainen logiikkatasoinen tulo.
Piirit on luokiteltu AEC-Q100-standardien mukaan. Valmistusaineet ovat ympäristöystävällisiä, lyijyttömiä ja RoHS-määräysten mukaisia ja piirit ovat mukana IR:n laatuprojektissa, jonka tavoitteena on ’zero defects’, ei vikoja.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Rdson max 25°C |
Ylivirtakatkaisu (min) |
Liitos-lämpötila |
Lukko-jännite |
Virta- ja lämpötilasuojaus |
AUIPS2051L |
SOT223 |
300 mohm |
1,2 A |
165°C |
70 V |
katkaisu |
AUIPS2052G |
SOIC8 |
300 mohm |
1,2 A |
165°C |
70 V |
katkaisu |
IR6795
(12.11.09) IR julkaisee tehokkaan ratkaisun DDR3-muistimoduulien tehonsyöttöön
Phase Dropping -ominaisuus yhdessä DirectFET®-mosfettien kanssa tuottaa luokkansa parhaan hyötysuhteen koko kuormitusalueella
International Rectifier on julkaissut XPhase®-piirisarjan, jossa piirit IR3522 ja IR3506 muodostavat täydellisen tehonsyöttöratkaisun monivaiheisiin DDR3-muistisovelluksiin.
Kaksilähtöinen PWM-ohjauspiiri IR3522 sisäisine I2C-liitäntöineen muodostaa kokonaisvaltaisen järjestelmäohjauksen DDR3-muistin sekä VDDQ- että Vtt-kiskoille. Ohjauspiiriin voi liittää kuinka monta IR3506-vaihepiiriä tahansa ohjaamaan haluttua määrää vaiheita ja DDR3-DIMM-moduuleita (dual in-line memory module), mikä yksinkertaistaa sijoittelua ja vähentää sekä korttitilan tarvetta että kokonaiskustannuksia. Piirisarja IR3522/IR3506 sallii tarkan seurannan sekä lisäksi joustavan marginaalitestauksen VDDQ- ja Vtt-lähtöjen välillä I2C-liitännän kautta.
Uusi DDR3-sovellusten Xphase-ratkaisu sisältää entistä pienikokoisemman, joustavamman ja helpommin toteutettavan teholähteen, joka kuitenkin toimii tavanomaisia rakenteita paremmalla hyötysuhteella koko tehoalueella kevyestä kuormasta täyteen kuormitukseen saakka. Piiri IR3522 yhdistää kahden tapauksen parhaat puolet: analogiasäädön tarkkuus sekä tehonhallintatoimintojen ohjelmoitavuus I2C-liitännän kautta, joten muistin käytettävissä on yksinkertainen, mutta älykäs teholähde.
Piirissä IR3522 on lähtöjännitteen ohjelmointimahdollisuus sekä VDDQ- että Vtt-lähdöillä I2C-yhteensopivan liitännän kautta. VDDQ-asetusarvon virhe on vain ±0,5 %. Piiri IR3506 toimii sekä lähteenä että nieluna ja mahdollistaa Vtt-lähdön entistä tarkemman seurannan VDDQ:n suhteen. Lisäksi IR3506 tukee hyötysuhdetta keveällä kuormalla parantavaa tehonsäästötoimintoa (PSI; Power State Indicator).
IR3522:n ominaisuuksia
IR3522:n I2C-liitäntä ohjelmoi Vtt:n seurantasuhteen alueella ± 25 % ja toimii digitaalisena ON/OFF-säätimenä. Kahden ADDR-nastan avulla voidaan valita neljä I2C-osoitetta, kun taas neljä eri VREF1-jännitettä voidaan valita kahden VID-nastan avulla, mikäli I2C-yhteys ei ole käytettävissä. Pehmeä katkaisu varmistaa VDDR-Vtt-seurannan, minkä lisäksi piirissä on vian johdosta aktivoituva ’crowbar’-nasta, joka ohjaa ulkoisia NMOS-piirejä jännitelähdön suojaamiseksi. Kuten muutkin Xphase-piirit, IR3522 sisältää joukon suojausominaisuuksia, kuten ylivirta- ja ylijännitesuojan sekä erilaiset katkossuojaukset.
IR3506:n ominaisuuksia
Vaihepiirissä IR3506 on 7V/2A hilaohjaimet (4A GATEL-virta) ja se tukee häviötöntä virranmittausta. Piirissä on VDDR- ja Vtt-seurannan varmistava pehmeä katkaisu sekä erilaisia lisätoimintoja, kuten ylivirtasuojaus tehonsäästötilan assertion mode -toiminnan aikana, vianetsintä, itsekalibroituva PWM-ramppi, virranmittaus- ja jakovahvistimet sekä kaksisuuntainen yksijohtoinen virranjako.
Datalehdet ovat saatavilla International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa http://www.irf.com. Mallikytkentä voidaan toimittaa pyynnöstä.
(12.11.09) International Rectifierin puolisiltaohjain vähentää tilantarvetta ahtaissa ajoneuvosovelluksissa
International Rectifier on julkaissut ohjainpiirin AUIR2085S, joka on tarkoitettu pien-, keski- ja suurjännitteisiin ajoneuvojen ohjainsovelluksiin, kuten DC-DC-muuntimiin, hybridiautojen apumuuntimiin sekä akkuvirran hallintalaitteisiin.
Piiri AUIR2085S toimii itsevärähtelevänä 100 voltin puolisiltaohjaimena, jonka toimintajakso on 50 %. Piiriin on integroitu pehmeäkäynnistyskondensaattori, joka nostaa toimintajakson 5 millisekunnin aikana asteittain nollasta 50 prosenttiin. Tämä rajoittaa käynnistyksen virtasyöksyä ja pitää pulssileveydet samoina ylä- ja alapuolen mosfeteilla koko käynnistysjakson ajan.
Puolisillan ylä- ja alapuolen pulssileveydet on sovitettu toisiinsa ±25 ns tarkkuudella, joten muuntajan balanssi säilyy toiminnan aikana. Muita ominaisuuksia ovat matalavarauksisille mosfeteille optimoitu ±1 A hilavirta sekä kuolleen ajan säädettävyys välillä 50…200 ns, mikä suojaa virtaläpilyönneiltä.
Pienikokoinen, älykkäin suojausominaisuuksin varustettu ohjainpiiri AUIR2085S on erityisesti suunniteltu ankarissa ajoneuvo-olosuhteissa toimiviin sovelluksiin, kuten tehokkaisiin tasavirtamuuntimiin ja nopeisiin, kestäviin tehonhallintaratkaisuihin.
Piiri AUIR2085S on AEC-Q100-standardin mukainen ja se toimitetaan 8-nastaisessa SOIC-kotelossa. Ohjelmoitavan, jopa 500 kHz hakkuritaajuuden ansiosta se on laitesuunnittelun kannalta erittäin joustava. Korkea hakkuritaajuus vähentää lähdön aaltoisuutta ja sallii pienempikokoisten, vähähäviöisten magneettisten komponenttien käytön. Hakkuritaajuutta ja kuollutta aikaa voidaan säätää toisistaan riippumatta vain kahden ulkoisen komponentin avulla. Piirissä on myös kelluva kanava bootstrap-käyttöä varten aina +100V DC-syöttöjännitteelle sekä alijännitelukitus ja säädettävä ylivirtasuojaus.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Voffset |
Io+/Io- (mA) |
Erikoisominaisuuksia |
AUIR2085S |
SO-8 |
100 V |
1000 / 1000 |
Itsevärähtelevä puolisilta |
Datalehdet ja kelpoisuusstandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
IR5765A
(28.9.09) IR julkaisee ankariin ajoneuvoympäristöihin tarkoitetun 150 V yläpuolen ohjainpiirin, jossa on sisäinen Vs-latauspiiri
International Rectifier on julkaissut ohjainpiirin AUIRS2016S ajoneuvojen hilaohjainsovelluksiin, kuten polttoaineen suorasuihkutukseen ja erilaisiin solenoidiohjauksiin.
Piiri AUIRS2016S on suurjännitteinen, mosfetilla toteutettu yläpuolen ohjain, jossa on sisäinen NMOS-tyyppinen Vs-jännitteen uudelleenlatausmosfetti. Lähtöohjaimessa on 250 mA pulssivirran puskuriaste. Kanavaa voidaan käyttää ohjaamaan N-kanavaista tehomosfettia yläpuolen rakenteessa, jolloin se voi toimia jopa 150 V maatason yläpuolella. Piiri AUIRS2016S on myös immuuni negatiivisille jännitehuipuille (-Vs), mikä suojaa sitä katkaistaessa suurta virtaa sekä oikosulkutilanteissa.
AUIRS2016S on erittäin luotettava piiri, joka on suunniteltu kestämään ankarat olosuhteet auton konepellin alla erityisesti energiatehokkaissa sovelluksissa. kuten diesel- ja bensiinimoottorin suorasuihkutusjärjestelmissä.
Uudessa AEC-Q100-standardin mukaisessa piirissä AUIRS2016S on 5 V logiikkatasoiset tulot, yksi yläpuolen lähtö ja sisäinen alapuolen Vs-latauspiiri, CMOS-Schmitt-liipaisulla varustettu tulo ja siinä ylösvetovastus sekä CMOS-Schmitt-liipaisulla varustettu nollauspiiri ja siinä alasvetovastus.
Uudessa piirissä sovelletaan IR:n kehittynyttä suurjännitteistä IC-prosessia, johon sisältyy seuraavan sukupolven suurjännitteinen tasonsiirto- ja päätetekniikka. Tämän ansiosta on sähköisen ylikuormituksen sieto erinomainen, mikä puolestaan lisää toiminnan luotettavuutta.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
VOUT |
IO+ & IO- |
Ton/off |
DTON/DTOFF |
AUIRS2016S |
SOIC8 |
4,4… 20 V |
0,25 A |
150 ns |
70 ns/6 µs |
Datalehdet ja luokitustiedot ovat saatavissa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
IR6784A
(17.9.09) IR julkaisee laadukkaan teollisuusluokan 30 V mosfettisarjan
International Rectifier on julkaissut sarjan teollisuusluokiteltuja 30 voltin TO-220-koteloisia HEXFET®-tyyppisiä tehomosfetteja, joilla on erittäin alhainen hilavaraus (Qg). Sarja on tarkoitettu lähinnä UPS-laitteisiin, akkukäyttöisiin käsityökaluihin, ORing-sovelluksiin sekä verkotus- ja palvelinkoneiden virtalähteisiin.
Tässä kestävässä mosfettisarjassa sovelletaan IR:n uusinta trench-tekniikkaa, jonka ansiosta saavutetaan erittäin alhainen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)), mikä vähentää lämpöhäviöitä. Lisäksi pidentää mosfetin ultra-alhainen hilavaraus akkukäyttöisten laitteiden akun kestoa.
Uudet mosfetit ovat suoraan vaihtokelpoisia aikaisempien 30 V TO-220-koteloisten mosfettien kanssa, koska niiden vyöryjännite- ja virtakäyrät ovat samat. Ne täyttävät teollisuusluokittelun vaatimukset ja niiden kosteudenkesto on luokkaa MSL1 (Moisture sensitivity level 1). Mosfetit ovat lyijyttömiä ja RoHS-määräysten mukaisia.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
|
RDS(on) |
ID @ TC |
Qg |
Qgd |
||
VBRDSS(V) |
@ 4.5V |
@ 10V |
25°C |
100°C |
||||
IRLB8721PbF |
TO-220AB |
30 |
4,5 |
8,7 |
62 |
44 |
7,6 |
3,4 |
IRLB8743PbF |
TO-220AB |
30 |
4,2 |
3,2 |
150 |
110 |
36 |
13 |
IRLB8748PbF |
TO-220AB |
30 |
6,8 |
4,8 |
92 |
65 |
15 |
5,9 |
IRLB3813PbF |
TO-220AB |
30 |
2,6 |
1,95 |
260 |
190 |
57 |
19 |
IR6783A
(26.8.09) Ultra-alhainen hilavaraus teollisuussovelluksiin tarkoitetuilla150 ja 200 voltin mosfeteilla
International Rectifier on julkaissut sarjan teollisuussovelluksiin, kuten hakkuriteholähteisiin, UPS-laitteisiin, inverttereihin ja moottoriohjauksiin tarkoitettuja 150 ja 200 voltin HEXFET® tehomosfetteja, joilla on erittäin alhainen hilavaraus (Qg). IR:n 150 voltin mosfettien kokonaishilavaraus on jopa 59 % ja 200 voltin mosfettien jopa 33 % alhaisempi kuin markkinoiden muilla vastaavilla komponenteilla.
DC-DC-tehomuuntimien kehittyessä ja hakkuritaajuuksien noustessa lisääntyy tulokapasitanssin ja hilavarauksen vaikutus kokonaishyötysuhteeseen merkittävästi. IR:n uudet 150 ja 200 voltin mosfetit on optimoitu nopeisiin hakkuripiireihin, joissa kytkentähäviöiden osuus on kriittinen. Siksi ne sopivat hyvin eristettyjen DC-DC-muuntimien ensiökytkimiksi niin telecom-sovelluksissa kuin parantamaan hyötysuhdetta kevyellä kuormalla kaikissa kehittyneissä muunninsovelluksissa.
Uudet mosfetit täyttävät teollisuusluokituksen vaatimukset kosteudensietotasolla MSL 1. Saatavana olevat kotelot ovat TO220, D2PAK, TO262, DPAK ja IPAK, kaikki lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Jännite |
Id |
Rdson max. |
Qg |
IRFB4615PBF |
TO220 |
150 |
35 |
39 |
26 |
IRFS4615PBF |
D2PAK |
150 |
35 |
39 |
26 |
IRFSL4615PBF |
TO262 |
150 |
35 |
39 |
26 |
IRFB4620PBF |
TO220 |
200 |
25 |
72,5 |
25 |
IRFS4620PBF |
D2PAK |
200 |
25 |
72,5 |
25 |
IRFSL4620PBF |
TO262 |
200 |
25 |
72,5 |
25 |
Lisätietoja saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/whats-new/nr090813.html.
IR6778A
(20.8.09) IR:n 25 voltin IRF6718 uudessa isokokoisessa DirectFET®-kotelossa tarjoaa pienimmän päästösuunnan resistanssin aktiivisissa ORing- ja Hot Swap -sovelluksissa
International Rectifier on julkaissut DirectFET®-tyyppisen mosfetin IRF6718. Uuden, erilaisiin tasavirtakytkinsovelluksiin, kuten aktiivisiin ORing- sekä hot swap -piireihin ja elektronisiin sulakkeisiin (E-fuse) optimoidun 25 V mosfetin päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) on markkinoiden alhaisin.
Yhtiön ensimmäisessä, suurikokoiseen DirectFET-koteloon asennetussa mosfetissa IRF6718 hyödynnetään uusimman sukupolven piitekniikkaa. Päästösuunnan resistanssi RDS(on) on äärimmäisen alhainen, tyypillisesti vain 0,5 mW Vgs-jännitteellä 10 V, joten järjestelmän johtumishäviöt pienenevät ja kokonaishyötysuhde paranee dramaattisesti. Mosfetin jalanjälki on 60 % ja kotelon korkeus 85 % pienempi kuin D2PAK-kotelolla.
Kilpaileviin tuotteisiin verrattuna huomattavan alhainen RDS(on)-arvo sekä D2PAK-koteloa pienempi jalanjälki parantavat hyötysuhdetta ja termistä suorituskykyä erityisesti kompakteissa DC/DC-muunninsovelluksissa, kuten palvelinkoneissa. Lisäksi voidaan kokonaiskustannuksia pienentää aikaisempiin ratkaisuihin verrattuna, koska tarvittavien komponenttien lukumäärä pienenee.
Lisäksi on IRF6718:n turvallista toiminta-aluetta (SOA; safe operating area) parannettu silmälläpitäen erityisesti käyttöä elektronisissa sulakkeissa sekä hot swap -piireissä. Mosfetti on lyijytön ja RoHS-yhteensopiva.
IRF6718 on lisäys IR:n tasavirtakytkinsovelluksiin tarkoitettuun 25 V DirectFET-perheeseen. Medium-kokoisessa kotelossa oleva DirectFET IRF6717 sekä pienikoteloinen IRF6713 ovat myös tasavirtakytkimiin tarkoitettuja ja niiden RDS(on) -arvot ovat luokassaan parhaita.
Teknisiä tietoja
Tyyppi |
RDS(on) tyyp. @10 V (mW) |
RDS(on) tyyp. @4,5 V (mW) |
VGS(V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
Kotelon mitat (mmxmm) |
RDS(on) tyyp. @10V x koko (mW x mm2) |
IRF6718 |
0,5 |
1,0 |
±20 |
61 |
7 x 9,1 |
31,9 |
IRF6717 |
0,95 |
1,6 |
±20 |
38 |
4,9 x 6,3 |
29,3 |
IRF6713 |
2,2 |
3,5 |
±20 |
22 |
3,8 x 4,8 |
40,1 |
Lisätietoa saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/whats-new/nr090806.html
IR6779A
(23.7.09) IR julkaisee monipuolisen PWM-ohjainpiirin IR3640M suorituskykyisiin, energiataloudellisiin DC-DC-muunninsovelluksiin
International Rectifier on julkaissut PWM-ohjainpiirin IR3640M, joka on tarkoitettu suorituskykyisiin, buck-tyyppisiin synkronisiin tasavirtamuunninsovelluksiin esimerkiksi palvelin-, tallennin- ja netcom-koneissa, pelikonsoleissa sekä yleiskäyttöisissä DC-DC-muuntimissa.
Piiri IR3640M on yksivaiheinen synkroninen buck-tyyppinen PWM-ohjain, johon on integroitu mosfettiohjaimet sekä bootstrap-diodi. Piirin yksisilmukkainen jännitemoodirakenne sekä yksinkertaistaa suunnittelua että sallii tarkan lähtöjännitteen reguloinnin ja nopean transienttivasteen.
Tämä monipuolinen ohjainpiiri muodostaa yhdessä IR:n DirectFET®-mosfettien kanssa erittäin joustavan, tehokkaan ratkaisun. Laajan tulo- ja lähtöjännitealueen ansiosta se soveltuu moneen erilaiseen, suorituskykyiseen kuormapistesovellukseen.
Käytettäessä IR:n integroituja SupIRBuck™ jänniteregulaattoreita alle 12 ampeerin kuormilla voidaan virta-alue helposti laajentaa jopa 30 ampeeriin saakka, koska piirin IR3640M ohjainjärjestelmä, monitorointi ja raportointi ovat vastikään luodun SupIRBuck-teollisuusstandardin mukaiset.
Tämä uusi ohjainpiiri on suunniteltu ohjaamaan kahta N-kanavaista mosfettia hakkuritaajuudella 250 kHz…1,5 MHz. Sitä käyttämällä voidaan laiteratkaisu joustavasti optimoida joko parasta hyötysuhdetta tai pienintä kokoa silmälläpitäen. Lähtöjännite voidaan reguloida tarkasti jopa 0,7 voltista alkaen lämpötila-, linja- ja kuormavaihtelujen toleranssilla ±1 %.
Uuteen piiriin on integroitu joukko toimintoja, kuten ohjelmoitava pehmeäkäynnistys, käynnistyminen jännitteisellä kuormalla, jännitteenseuranta, ulkoinen tahdistus, Enable-tulo ja Power Good -lähtö. Vikasuojausominaisuuksia ovat ylilämpötila-, ylijännite- ja ylivirtakatkaisu sekä alijännitelukitus. Piirit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja
PWM-ohjainpiiri
Tyyppinumero |
Kotelo |
Tulojännite |
Lähtöjännite |
Hakkuritaajuus |
Etuja |
IR3640MPbF |
20L 3x4 mm MLPQ |
1,5…24 |
0,7…0,9 x VIN |
250… 1500 |
1 % tarkkuus, OCP, OTP, PB, SS, PGOOD, Ulkoinen tahdistus, seuranta |
DirectFET®-mosfetit
Tyyppinumero |
BVDSS (V) |
RDS(on) typ@10V (mW) |
RDS(on) typ@4,5V (mW) |
VGS (V) |
Qg typ (nC) |
Qgd typ (nC) |
Kotelokoodi |
IRF6710S |
25 |
4,5 |
9,0 |
±20 |
8,8 |
3,0 |
S1 |
IRF6795M |
25 |
1,4 |
2,4 |
±20 |
35 |
10 |
MX |
Suunnittelutuki
Piirin IR3640M datalehti on International Rectifierin verkkosivulla www.irf.com. Lisäksi on saatavana mallikytkentäsarja IRDC3640, 25A, 600 kHz synkroninen buck-muunnin jossa on PWM-ohjainpiiri IR3640M sekä DirectFET®-mosfetit IRF6710S ja IRF6795M.
International Rectifier
International Rectifier (NYSE:IRF) on tehonhallintatekniikan markkinoilla johtoasemassa koko maailmassa. IR:n analogiset ja sekasignaalipiirit, kehittyneet piiriratkaisut, integroidut tehojärjestelmät ja komponentit lisäävät tietokoneiden laskentatehoa ja vähentävät energiahukkaa moottoreissa, jotka muodostavat maailman suurimman yksittäisen sähkötehon kuluttajaryhmän. Tietokoneiden, energiaa säästävien kodinkoneiden, valaisimien, autojen, satelliittien, lentokoneiden ja puolustuslaitteiden johtavat valmistajat luottavat IR:n tehonhallintatuotteisiin seuraavan sukupolven tuotteissaan. Lisätietoja saa IR:n verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
IR6772A
(4.6.09) IR julkaisee parannetut 25 ja 30 voltin mosfetit synkronisiin kuormapisteen buck-muuntimiin
International Rectifier on julkaissut sarjan 25 ja 30 voltin N-kanavaisia trench-tyyppisiä HEXFET®-tehomosfetteja, joilla saavutetaan entistä parempi suorituskyky synkronisissa buck-muuntimissa sekä akkujen latauslaitteissa.
Uudessa mosfettisarjassa hyödynnetään IR:n koettua piitekniikkaa, jonka ansiosta saavutetaan erityisen alhainen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) sekä parannettu suorituskyky hakkurina. Mosfetin pienet johtumishäviöt parantavat sekä hyötysuhdetta täydellä kuormalla että termistä suorituskykyä, kun taas pienet kytkentähäviöt parantavat suorituskykyä myös pienillä kuormilla.
Uudet mosfetit ovat myös saatavana Power QFN -koteloisina. Niiden avulla saavutetaan parempi tehotiheys kuin SO-8-koteloisilla malleilla ja nastoitus on sama. Sovelluksesta riippuen voi SO-8-koteloisten kaksoismosfettien käyttäminen vähentää komponenttien määrää jopa puoleen.
Saatavana on sekä yhden että kahden N-kanavan mosfetteja. Yksikanavaiset voidaan toimittaa D-PAK-, I-PAK- ja SO-8-koteloissa sekä lisäksi massatuotantoon optimoiduissa PQFN 5x6 mm tai 3x3 mm koteloissa, kun taas kaksikanavaiset ovat SO-8-kotelossa. Uudet mosfetit ovat RoHS-yhteensopivia ja voidaan myös toimittaa halogeenittomina.
Teknisiä tietoja
Yhden N-kanavan mosfetit
Tyyppinumero |
Bvdss (V) |
Kotelo |
RDS(on) max |
RDS(on) max @4,5 Vgs(mΩ) |
Id @ TC=25C(A) |
Id @ TA=25C(A) |
Qg tyyp(nC) |
IRL(R,U)8256(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5,7 |
8,5 |
81 |
N/A |
10 |
IRL(R,U)8259(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8,7 |
12,9 |
57 |
N/A |
6,8 |
IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2,7 |
3,7 |
N/A |
25 |
35 |
IRL(R,U)8743(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3,1 |
3,9 |
160 |
N/A |
39 |
IRL(R,U)8726(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5,8 |
8,0 |
86 |
N/A |
15 |
IRL(R,U)8721(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8,4 |
11,8 |
65 |
N/A |
8,5 |
IRL(R,U)8729(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8,9 |
11,9 |
58 |
N/A |
10 |
IRFH3702(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7,1 |
11,8 |
N/A |
16 |
9,6 |
IRFH3707(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12,4 |
17,9 |
N/A |
12 |
5,4 |
IRFH7932(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3,3 |
3,9 |
N/A |
24 |
34 |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3,5 |
5,1 |
N/A |
24 |
20 |
|
IRFH7936(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4,8 |
6,8 |
N/A |
20 |
17 |
IRFH7921(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8,5 |
12,5 |
N/A |
15 |
9,3 |
IRFH7914(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8,7 |
13 |
N/A |
15 |
8,3 |
IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2,8 |
3,8 |
N/A |
24 |
44 |
IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3,7 |
4,5 |
N/A |
21 |
30 |
30 |
SO-8 |
3,5 |
5,1 |
N/A |
21 |
20 |
|
IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4,8 |
6,8 |
N/A |
18 |
17 |
IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8,5 |
12,5 |
N/A |
14 |
8,3 |
IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8,7 |
13 |
N/A |
14 |
8,1 |
IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11,9 |
17,5 |
N/A |
11 |
6,2 |
N/A = Not Applicable
Kahden N-kanavan mosfetit
Tyyppinumero |
Kotelo |
Rakenne |
Bvdss(V) |
RDS(on) max @10 Vgs |
Vgs max, |
Qg tyyp. |
IRF8313PBF |
SO-8 |
Vapaa symmetrinen |
30 |
15,5 |
± 20 |
6,0 |
IRF8513PBF |
SO-8 |
Puolisilta asymmetrinen |
30 |
12,7 |
± 20 |
7,6 |
Lisätietoja saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
IR5759A
(28.5.09) IR:n IRS2093 kutistaa korttitilan puoleen integroimalla neljä kanavaa yhteen kompaktiin piiriin
International Rectifier on julkaissut suorituskykyisten 50…150 W tehoisten D-luokan audiosovellusten ohjainpiirin IRS2093, joka on tarkoitettu erityisesti kotiteattereihin ja autoradioiden pääteasteisiin.
Puolisiltarakenteiseen piiriin IRS2093 on integroitu neljä suurjännitteistä, suorituskykyistä, PWM-modulaattorilla varustettua D-luokan audiovahvistimen ohjainta. Piiri on asennettu kompaktiin MLPQ48-koteloon, joka vähentää korttitilan tarpeen puoleen aikaisempiin ohjaimiin verrattuna.
Lisäämällä ulkoiset mosfetit ja tarvittavat passiivikomponentit voidaan toteuttaa täydellinen nelikanavainen D-luokan audiovahvistin aikaisempaa puolta pienemmässä tilassa. Tällainen vahvistin tarjoaa D-luokan hyötysuhde- ja kokoedut, vaikka äänenlaatu on sama kuin perinteisillä AB-luokan vahvistimilla. Piirissä IRS2093 on erovahvistin, PWM-komparaattori, hilaohjain sekä kestävät suojauspiirit. Lisäksi on uudessa 200 voltin piirissä analoginen PWM-modulaattori taajuudelle 800 kHz saakka, ohjelmoitava, itsepalautuva kaksisuuntainen ylivirtasuojaus (OCP), alijännitelukitussuoja (UVLO) sekä ohjelmoitava, esiaseteltava kuollut aika skaalattavuuden parantamiseksi.
Uusi piiri toimii yhdessä IR:n laajan digitaalisten audiomosfettien valikoiman kanssa lähtötehoalueella 50…150 W. Nämä mosfetit on optimoitu audiosuorituskyvyn kannalta kriittisten parametrien suhteen, kuten hyötysuhteen, harmonisen särön ja häiriösäteilyn. Piirit ovat RoHS-yhteensopivia ja luokiteltu teollisuuskäyttöön. Teknisiä tietoja
D-luokan audiopiiri
Tyyppi |
Kotelo |
Kan. |
Siirros-jännite |
Virta |
VCC -alue (UVLO) |
Min/Max lähtö |
Kuollut aika |
IRS2093MPbF |
MLPQ48 |
4 |
200V~+/-100V |
0,6/0,5A |
10…15 V |
10…15 V |
45/65/85/105 ns |
Piirin IRS2093 sisältävä mallikytkentä IRAUDAMP8 on myös saatavana. Lisätietoja saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/whats-new/nr090423.html.
IR6771A
(25.5.09) IR:n uusilla logiikkatasoisilla, trench-tyyppisillä mosfeteilla on erinomainen hyötysuhde ja entistä korkeampi maksimivirta
International Rectifierin uusien logiikkatasoisten, trench-tyyppisten HEXFET®-mosfettien etuina on alhainen päästösuunnan resistanssi (RDS(on)) ja suuri nimellinen maksimivirta. Ne on tarkoitettu suuritehoisten tasavirtamoottorien ohjauksiin esimerkiksi sähkötyökaluissa sekä erilaisiin virtalähdesovelluksiin, kuten teollisuuden akustoihin.
Uudessa mosfettiperheessä on sovellettu IR:n uusinta trench-tekniikkaa ja niiden RDS(on)-arvo 4,5 V hilajännitteellä (Vgs) on hyvin alhainen, mikä parantaa huomattavasti termistä hyötysuhdetta. Lisäksi laajentaa entistä korkeampi maksimivirta suojakaistaa transientteja vastaan ja vähentää tarvittavien komponenttien lukumäärää rinnakkaisrakenteissa, joissa virta jakaantuu usealle mosfetille. Kotelon rajoittama maksimivirta on jopa 195 A, mikä merkitsee koteloilla TO-220, D2PAK ja TO-262 yli 60 % parannusta tyypilliseen maksimivirtaan verrattuna, kun taas 7-nastainen D2PAK vähentää RDS(on) -arvoa jopa 16 % verrattuna vakiomalliseen D2PAK-koteloon, mikä parantaa suorituskykyä entisestään.
Alhaisen RDS(on)-arvon ansiosta voidaan uusia logiikkatasoisia trench-mosfetteja ohjata mikro-ohjaimella tai alhaisellakin paristojännitteellä, mikä parantaa hyötysuhdetta kevyellä kuormalla, joten ne sopivat ihanteellisesti suurivirtaisiin DC-DC-hakkureihin ja tasavirtamoottorien ohjaukseen.
Näitä uusia mosfetteja on saatavana jännitteille 40…100 V. Ne kuuluvat teollisuusluokkaan kosteudenkestotasolla 1 (MSL1). Saatavana ovat kaikki vakiomalliset tehokomponenttien kotelotyypit, kuten TO-220, D2PAK, TO-262 sekä 7-nastainen D2PAK. Mosfetit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
Bvdss |
RDS(on) Max @4,5Vgs |
Id @ 25C |
Qg tyyp. @4,5Vgs |
IRLS3034-7PPBF |
D2PAK-7 |
40 |
1,7 |
*240 |
108 |
IRLB3034PBF |
TO-220 |
40 |
2,0 |
*195 |
108 |
IRLS3034PBF |
D2PAK |
40 |
2,0 |
*195 |
108 |
IRLS3036-7PPBF |
D2PAK-7 |
60 |
2,2 |
*240 |
91 |
IRLB3036PBF |
TO-220 |
60 |
2,8 |
*195 |
91 |
IRLS3036PBF |
D2PAK |
60 |
2,8 |
*195 |
91 |
IRLS4030-7PPBF |
D2PAK-7 |
100 |
4,1 |
190 |
87 |
IRLB4030PBF |
TO-220 |
100 |
4,5 |
180 |
87 |
IRLS4030PBF |
D2PAK |
100 |
4,5 |
180 |
87 |
* Kotelon rajoitus
Lisätietoa saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com tai ottamalla yhteyttä tuotepäällikkö Kari Nilssoniin puh: 09 8599 1363.
IR6768A
(20.5.09) IR julkaisee 200 voltin IC-piirin AUIRS2003S autojen Powertrain- sovelluksiin ja akkujen hallintaan
International Rectifier on julkaissut 200 voltin piirin AUIRS2003S, joka on tarkoitettu kaikkien jännitealueiden autosovelluksiin, kuten esilatauskytkentään, käynnistyksen askelohjaukseen sekä DC/DC-muuntimiin.
Piiri AUIRS2003S on AEC-Q100-standardien mukainen, kestävä ja joustava nopeiden mosfettien ohjain, jonka toisistaan riippuvat ylä- ja alapuolen lähtökanavat on erityisesti suunniteltu toimimaan vaikeissa olosuhteissa autojen konepellin alla. Lähtöohjaimissa on virtapulssien puskuriaste, jonka kanavien välinen ylikuuluminen on pieni. Kelluvaa kanavaa voidaan käyttää ohjaamaan N-kanavaista tehomosfettia yläpuolen rakenteessa aina 200 V jännitteelle saakka. Uuden piirin lepovirta on pieni, joten yläpuolen piirissä voidaan käyttää huokeaa bootstrap-virtalähdettä.
“Monia suojausominaisuuksia sisältävä piiri AUIRS2003S on suunniteltu muodostamaan kestävä ja joustava ohjainpiiri, joka vastaa autojen Powertrain- ja akkuhallintasovellusten haasteisiin”, sanoi IR:n autotuoteosaston apulaisjohtaja Henning Hauenstein.
Piirissä AUIRS2003S on yläpuolen lähtö tulosignaalin kanssa samavaiheinen ja alapuolen lähtö vastavaiheessa tulosignaalin kanssa. Tulon logiikkataso voi olla 3,3 V, 5 V tai 15 V vakiotyyppisellä CMOS- tai LSTTL-signaalitasolla ja piirissä on täydelliset suojausominaisuudet, kuten alijännitelukitus (UVLO), kuolleen ajan suojaus sekä immuniteetti negatiivisia jännitehuippuja (Vs) vastaan, mikä suojaa piirin virtakytkennässä ja oikosulkutilanteissa esiintyviltä jännitteiltä.
Uudessa piirissä on sovellettu IR:n kehittynyttä suurjänniteprosessia, johon kuuluu seuraavan sukupolven suurjännitteinen tasonsiirto- ja päätetekniikka. Sen ansiosta ovat piirin ylikuormituskesto ja luotettavuus huippuluokkaa. Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
VOFFSET |
VOUT |
INPUT LOGIC |
IO+ &IO- (tyyp.) |
ton & toff (tyyp.) |
AUIRS2003S |
SOIC8 |
200 V |
10…20 V |
HIN, LIN |
290 & 600 mA |
680 & 150 ns |
Datalehdet ja luokitusstandardit ovat saatavissa International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com.
Saatavuus
Tuotantomääriä voidaan toimittaa heti. Autokäyttöön hyväksysst piiri on lyijytön ja RoHS-yhteensopiva.
International Rectifier
International Rectifier (NYSE:IRF) on tehonhallintatekniikan markkinoilla johtoasemassa koko maailmassa. IR:n analogiset ja sekasignaalipiirit, kehittyneet piiriratkaisut, integroidut tehojärjestelmät ja komponentit lisäävät tietokoneiden laskentatehoa ja vähentävät energiahukkaa moottoreissa, jotka muodostavat maailman suurimman yksittäisen sähkötehon kuluttajaryhmän. Tietokoneiden, energiaa säästävien kodinkoneiden, valaisimien, autojen, satelliittien, lentokoneiden ja puolustuslaitteiden johtavat valmistajat luottavat IR:n tehonhallintatuotteisiin seuraavan sukupolven tuotteissaan. Lisätietoja saa IR:n verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
Patentit ja tavaramerkit
IR® on International Rectifier Corporationin rekisteröimä tavaramerkki. Kaikki muut tekstissä mainitut tuotenimet voivat olla omistajiensa tavaramerkkejä.
IR5738A
PCIM, Nürnberg, 12…14.5.2009 Halli 12, osasto 202
(7.5.09) IR:n SmartRectifier™ piirien hyötysuhde paranee 1,5 %, tasasuuntaajan lämpötila laskee 25 asteella ja piirikortti pienenee kahdella kolmasosalla
International Rectifier, IRÒ on laajentanut SmartRectifier™-piiriensä valikoimaa julkaisemalla vaativien sovellusten, kuten nestekidetelevisioiden virtalähteisiin tarkoitetun tasasuuntauspiirin IR1168.
Älykäs 200 V toisiopuolen tasasuuntaajan kaksoisohjainpiiri ohjaa kahta N-kanavaista tehomosfettia, jotka toimivat synkronisina tasasuuntaajina resonoivassa puolisiltarakenteessa. Päinvastoin kuin tavanomaisilla virtamuuntajilla toteutetuissa synkronisissa tasasuuntaajissa, piiri IR1168 määrittelee tarkkaan liipaisu- ja katkaisuhetket mosfetin nielun jännitteen mukaan lähellä nollavirtahetkeä, mikä helpottaa suunnittelua eliminoimalla lisäkomponenttien tarpeen.
Synkroninen tasasuuntaus säästää huomattavasti energiaa verrattuna dioditasasuuntaukseen, mutta perinteiset synkroniset tasasuuntausmenetelmät ovat monimutkaisia ja vaativat paljon komponentteja. Vain kahden hilavastuksen ja yhden syöttöpuolen kondensaattorin avulla toimiva IR1168 pitää järjestelmän lämpötilan alhaisempana ja lisää tehotiheyttä, siten parantaen entisestään hyötysuhdetta ja luotettavuutta verrattuna olemassa oleviin synkronisiin tasasuuntausmenetelmiin. Lisäetuna on yksinkertaisempi rakenne ja huomattavasti pienempi komponenttien määrä, joten piirikortti voidaan tehdä entistä pienemmäksi.
Yhdessä IR:n uusinta trench- ja kotelointitekniikkaa soveltavan DirectFET® mosfetin kanssa parantaa IR1168-pohjainen ratkaisu hyötysuhdetta 1,5 % vakiomallisessa 240 watin nestekidetelevision hakkuriteholähteessä ja laskee tasasuuntauskomponentin lämpötilaa 25 asteella, samalla kun piirikortin koko pienenee kahdella kolmasosalla.
IR:n patentoimaa suurjännitteistä piiritekniikkaa hyödyntävä IR1168 toimii purskemuodossa, jolloin hyötysuhde-edut säilyvät myös pienillä kuormilla. Kestävyys ja kohinaimmuniteetti saadaan aikaan kehittyneellä sammutusmenetelmällä ja kaksoispulssin vaimennuksella, joten toiminta on luotettavaa sekä kiinteällä että muuttuvalla taajuudella toimivissa sovelluksissa. Muita tärkeitä ominaisuuksia ovat 500 kHz maksimihakkuritaajuus, värähtelyä sietävä logiikka ja alijännitesuojaus, hilan katkaisuohjauksen huippuvirta 4 A, käynnistys alhaisella virralla (’micropower start-up’) sekä ultrapieni lepovirta, 10,7 V hilaohjauksen lukitus, 70 ns sammutusviive sekä laaja toimintajännitealue 8,6…18 V.
Tuotantoeriä on heti saatavana. Piirit ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia. Lisätietoja saa International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/whats-new/nr090416.html.
Teknisiä tietoja:
SmartRectifier™-piirit
Tyyppinumero |
Kotelo |
Jännite |
Hakkuri |
Vcc min |
Vcc max |
Iout |
VGate Clamp (V) |
IR1168SPbF |
SO-8 |
200 V |
500 |
8,6 V |
18 V |
+ 1 A/ -4 A |
10,7 V |
IR1168STRPbF |
SO-8 |
200 V |
500 |
8,6 V |
18 V |
+ 1 A/ -4 A |
10,7 V |
DirectFET®-mosfetit
Tyyppinumero |
Kotelo |
VBRDSS (V) |
RDS(on) Max 10 V (m |
Qg tyyp. (nC) |
Qgd tyyp. (nC) |
IRF6648 |
DirectFET MN |
60 |
7,0 |
36,0 |
14,0 |
IRF6646 |
DirectFET MN |
80 |
9,5 |
36,0 |
12,0 |
IRF6668 |
DirectFET MZ |
80 |
15,0 |
22,0 |
7,8 |
IRF6644 |
DirectFET MN |
100 |
13,0 |
35,0 |
11,5 |
IRF6662 |
DirectFET MZ |
100 |
22,0 |
22,0 |
6,8 |
IRF6645 |
DirectFET SJ |
100 |
35,0 |
14,0 |
4,8 |
IRF6655 |
DirectFET SH |
100 |
62,0 |
8,7 |
2,8 |
IRF6643 |
DirectFET MZ |
150 |
34,5 |
39,0 |
11,0 |
IRF6641 |
DirectFET MZ |
200 |
59,9 |
34,0 |
9,5 |
)Standardimosfetit
Tyyppinumero |
Kotelo |
V(br)dss |
RDS(on) |
IRFB3206PbF |
TO-220 |
60 V |
3 m |
IRFB3306PbF |
TO-220 |
60 V |
4,2 m |
IRF7855PbF |
SO-8 |
60 V |
9,4 m |
IRFB3307PbF |
TO-220 |
75 V |
6,3 m |
IRFB3507PbF |
TO-220 |
75 V |
8,8 m |
IRF7854PbF |
SO-8 |
80 V |
13,4 m |
IRFB4110PbF |
TO-220 |
100 V |
6,3 m |
IRFB4310PbF |
TO-220 |
100 V |
7 m |
IRFB4410PbF |
TO-220 |
100 V |
10 m |
IRFB4610PbF |
TO-220 |
100 V |
14 m |
IRF7853PbF |
SO-8 |
100 V |
18 m |
IRFB4227PbF |
TO-220 |
200 V |
26 m |
IR5766A
PCIM, Nürnberg, 12…14.5.2009 Halli 12, osasto 202
(21.4.09) IR julkaisee ajoneuvoluokan alapuolen kaksoisohjainpiirin
International Rectifier on julkaissut alapuolen kaksoisohjainpiirin AUIRS4427S, joka on tarkoitettu pien- ja keskijännitteisiin ajoneuvosovelluksiin, kuten yleiskäyttöisiin moottoriohjaimiin, ajoneuvojen DC-DC-muuntimiin sekä hybridiautojen powertrain-ohjainmoduuleihin.
Piiri AUIRS4427S on pienjännitteellä toimiva nopea, AEC-Q100-standardin mukainen tehomosfettien ja IGBT-transistorien ohjain. Lähdöissä on virtapulssien puskurointiaste, jonka ansiosta ylikuuluminen kanavien välillä on pieni ja kulkuviive on molemmilla kanavilla sama. Piirissä on suojaus negatiivisia jännitehuippuja (Vs) vastaan, joten se on immuuni virran kytkentähetkellä tai oikosulkutilanteissa syntyviä vaarallisia transientteja vastaan.
Erinomaisen negatiivisten jännitehuippujen kestoisuutensa ja sovitetun kulkuviiveensä ansiosta on piiri AUIRS4427S erittäin kestävä, nopea alapuolen ohjain, joka sopii ihanteellisesti suuritehoisiin DC-DC-muuntimiin ja powertrain-sovelluksiin.
Piiri AUIRS4427S on logiikkayhteensopiva 3,3 ja 5 V vakiomallisten CMOS- ja LSTTL-lähtöjen kanssa. Siinä on hilajännitelähtö (VOUT) jopa 20 V saakka, CMOS Schmitt-liipaistut tulot, kaksi riippumatonta hilaohjainta sekä lähdöt vaiheistettuina tulojen kanssa.
Teknisiä tietoja
Tyyppinumero |
Kotelo |
VOUT |
Io+ & Io- |
ton & toff (tyyp.) |
AUIRS4427S |
SOIC-8 |
6… 20 V |
2,3 A & 3,3 A |
50 ns & 50ns |
Datalehdet ja laatustandardit ovat saatavana International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
Tuotantoeriä on heti saatavana. Piiri on lyijytön ja RoHS-yhteensopiva.
International Rectifier
International Rectifier (NYSE:IRF) on tehonhallintatekniikan markkinoilla johtoasemassa koko maailmassa. IR:n analogiset ja sekasignaalipiirit, kehittyneet piiriratkaisut, integroidut tehojärjestelmät ja komponentit lisäävät tietokoneiden laskentatehoa ja vähentävät energiahukkaa moottoreissa, jotka muodostavat maailman suurimman yksittäisen sähkötehon kuluttajaryhmän. Tietokoneiden, energiaa säästävien kodinkoneiden, valaisimien, autojen, satelliittien, lentokoneiden ja puolustuslaitteiden johtavat valmistajat luottavat IR:n tehonhallintatuotteisiin seuraavan sukupolven tuotteissaan. Lisätietoja saa IR:n verkkosivuilta osoitteessa www.irf.com.
Patentit ja tavaramerkit
IR® on International Rectifier Corporationin rekisteröimä tavaramerkki. Kaikki muut tekstissä mainitut tuotenimet voivat olla omistajiensa tavaramerkkejä.
IR5762A
(16.2.2009) Laitekokoa dramaattisesti pienentävien integroitujen jänniteregulaattorien IR Gen2 SupIRBuck™ hyötysuhde on markkinoiden huippua
International Rectifier on tänään julkaissut integroitujen SupIRBuck™ tyyppisten kuormapisteen (POL; point-of-load) jänniteregulaattoriensa toisen sukupolven (Gen2), joka on tarkoitettu energiatehokkaisiin sovelluksiin telealalla, kuluttajalaitteissa, digibokseissa, tehokkaissa palvelinkoneissa sekä tallennuslaitteissa.
Erittäin monipuolinen Gen2 SupIRBuck perhe hyödyntää IR:n uusimpia säätöpiirien, mosfettien ja koteloinnin tekniikoita. Tuloksena on regulaattoripiirisarja neljän, kahdeksan ja kahdentoista ampeerin lähtövirralle. Piirien hyötysuhde on markkinoiden parhaita koko virta-alueella. Vaikka piirit on optimoitu 12 V tulojännitteelle, erinomainen hyötysuhde saavutetaan sovelluksissa, joissa tulojännite on 9.6, 5 tai 3.3 V.
Uusien piirien hakkuritaajuus on jopa 1,5 MHz, joten suodatusinduktanssit ovat pienempiä ja lähtökondensaattoreita tarvitaan vähemmän. Gen2 SupIRBuck piirit on erityisesti suunniteltu datakeskuksien käyttöön ja niissä on paljon ominaisuuksia, jotka yksinkertaistavat huomattavasti koko laitteen rakennetta ja pienentävät sen kokoa. SupIRBuck-piirien erinomainen hyötysuhde ja hyvät lämpöominaisuudet sallivat täyden nimellisvirran ilman jäähdytysripoja tai ilmanpuhallusta. Piiri voidaan asentaa emolevyn takapuolelle, mikä edelleen vähentää tilantarvetta.
IR:n Gen2 SupIRBuck perheen hyötysuhde on parempi kuin 96 %, mikä vähentää tehohäviöitä ja lisää järjestelmän luotettavuutta. Erittäin korkea hakkuritaajuus pienentää myös huomattavasti laitekokoa. Lisäksi tarjoaa piiriperheen skaalattava jalanjälki lisää joustavuutta sovitettaessa piirejä muuttuvien lähtövirtavaatimusten mukaan ja antaa siten mahdollisuuden luoda riskittömästi optimoituja ratkaisuja tilarajoitteisia sovelluksia varten.
Kaikkien integroitujen Gen2 SupIRBuck regulaattoreiden jalanjälki on 5 x 6 mm ja niiden lähtövirta on 4, 8 tai 12 A hakkuritaajuudella 1,5 MHz. Niiden tulojännitealue on laaja, 1,5…16 V esijännitteellä 5 V ja lähtöjännitealue on 0,7 voltista 90 prosenttiin tulojännitteestä. Muista integroiduista ratkaisuista poiketen ovat SupIRBuck-piirit keskenään nastayhteensopivia, joten päivittäminen uusille virta-arvoille on helppoa. Muita tärkeitä ominaisuuksia ovat ylivirta- ja ylilämpötilasuojaus, ohjelmoitava hakkuritaajuus, enable-tulo ja tulojännitteen monitorointi, hetkellisen ylivirran esto, pehmeä käynnistys, power good lähtö, kehittynyt pre-bias-käynnistys, 1 % tarkkuus 0,7 V referenssijännitteellä, jaksotus sekä erillinen DDR-muistin hakutoiminto.
SupIRBuck™
Innovatiivinen SupIRBuck-piiriperhe koostuu laajalla tulojännitealueella toimivista yhden lähdön kuormapisteregulaattoreista (POL). Niissä on integroituna IR:n suorituskykyiset, optimoidut HEXFET®-mosfeteilla toteutetut ohjainpiirit ja ne on asennettu 5 x 6 mm kokoiseen, vain 0,9 mm korkeaan QFN-koteloon. Niillä on ainutlaatuinen, skaalattava yhteinen jalanjälki, joten niillä saadaan aikaan helposti toteutettava, suorituskykyinen, kompakti ja kustannustehokas kuormapisteen regulaattoriratkaisu.
Teknisiä tietoja
Integroidut SupIRBuck-jänniteregulaatorit IR383x ja IR384x
Tyyppinumero |
VIN |
VOUT |
Iout (A) |
Hakkuritaajuus (kHz) |
Erityisiä ominaisuuksia |
IR3831MPbF |
1,5…16 |
0,7…0,9 Vin |
8 |
250 kHz…1,5 MHz |
DDR Tracking |
IR3840MPbF |
1,5…16 |
0,7…0,9 Vin |
12 |
250 kHz…1,5 MHz |
SEQ-tulo |
IR3841MPbF |
1,5…16 |
0,7…0,9 Vin |
8 |
250 kHz…1,5 MHz |
SEQ-tulo |
IR3842MPbF |
1,5…16 |
0,7…0,9 Vin |
4 |
250 kHz…1,5 MHz |
SEQ-tulo |
Mallikytkennät IRDC383xx ja IR384x
Tyyppi-numero |
Tulojännite (V) |
Lähtöjännite (V) |
Kokonais-virta |
Hakkuritaajuus (kHz) |
Erityisiä ominaisuuksia |
IRDC3831 |
12 |
0,75 |
8 |
400 kHz |
DDR Tracking |
IRDC3840 |
12 |
1,8 |
12 |
600 kHz |
SEQ-tulo |
IRDC3841 |
12 |
1,8 |
8 |
600 kHz |
SEQ-tulo |
IRDC3842 |
12 |
1,8 |
4 |
600 kHz |
SEQ-tulo |
Lisätietoja löytyy International Rectifierin verkkosivuilla osoitteessa www.irf.com
IR5757A
(9.1.2009) IR:n uudet perusmosfetit tuovat 60 prosentin parannuksen kotelon virrankestoon
International Rectifier on julkaissut uuden suurivirtaisen sarjan trench-tyyppisiä HEXFET®-tehomosfetteja teollisuuden virtalähteisiin, suuritehoisiin tasavirtamoottoreihin sekä käsityökaluihin.
Uusien mosfettien kotelo sallii jopa 195 A maksimivirran, mikä merkitsee 60 % parannusta tyypilliseen arvoon verrattuna. Nämä mosfetit, joiden päästösuunnan resistanssi (RDSon) on entisiä pienempi, ovat saatavana suosituissa TO-220-, D2PAK- ja TO-262-koteloissa. Huomattava on, että 7-nastaisessa D2PAK-kotelossa olevien mosfettien maksimivirta on 240 A, joten ne kuuluvat markkinoiden kestävimpien pintaliitettävien mosfettien joukkoon. Lisäksi on RDS(on)-arvo 7-nastaisessa D2PAK-kotelossa pienempi kuin tavanomaisessa D2PAK-kotelossa.
Näiden koteloiden parempi virran kestokyky suojaa piirejä entistä paremmin haitallisilta transienteilta ja auttaa samalla vähentämään osien lukumäärää rinnakkaistyyppisissä rakenteissa, joissa suuri virta jakaantuu usean mosfetin kesken.
N-kanavaisten mosfettien jännitealue on 60…200 V ja ne kuuluvat teollisuusluokkaan kosteudenkestotasolla 1 (MSL1). Kaikki ovat lyijyttömiä ja RoHS-yhteensopivia.
Uudet mosfetit ovat heti saatavana. Lisätietoja löytyy International Rectifierin verkkosivuilta osoitteessa http://www.irf.com/whats-new/nr081216.html.